Полное описание
> Еханин, С. Г. Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. Г. Еханин. - Томск, 2002. - 43 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 42-43(25 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
31.15.17 | 548.4(043) | |
29.19.33 | 537.226.7(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-5751)>
Шифр в сводном ЭК: 4c4fb3e0214b99580855b6e9fa488130
Заказ фрагмента документа ₽