Полное описание

Realisation of reliable cryogenic ASIC's using GaAs ion-implanted MESFET technology : presented at the 2nd Workshop on electronics for LHC,Balatonfured,Hungary,23-27 Sept.,1996 / G.Battistoni,D.V.Camin,N.Fedyakin и др. - S.l. : [s. n.], 1997. - 12 p. : ill. - ([Pubblicazione] INFN / Ist.naz.di fisica nucleare ; TC-97/02). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.11-12

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.075

Рубрики:
Калориметры в ядерной физике

Доп. точки доступа:
Battistoni, G.
Camin, D.V.
Fedyakin, N.
Pessina, G.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/5815/TC-97/02)

Шифр в сводном ЭК: 35faf5f5c81df51099a23ad1e469d28d

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽