Тигишвили М.Г. Характеристики радиационных дефектов в GaAs,возникающих в результате имплантации селена : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Г. Тигишвили, 1992. - 19 с. - Текст : непосредственный.