Полное описание

Gosling, T. J. Strain in heavily doped GexSi1-x epitaxial layers and its effect on the indirect band gap of these layers / T.J.Gosling,S.C.Jain,D.H.J.Totterdell. - Harwell : [s. n.], 1989. - II,7 p. p. : ill. - (Report / Great Britain.Atomic energy authority.Research group ; r 13669). - ISBN 0-7058-1561-7. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.6

ГРНТИ	УДК
47.13.11	621.315.592-416.002:669

Рубрики:
Германий, силициды, пленки -- Легирование

Кл.слова (ненормированные): ГЕРМАНИЯ
Доп. точки доступа:
Jain, S.C.
Totterdell, D.H.J.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/446/R 13669)

Шифр в сводном ЭК: ea1a78a1f5040415070904acac1f03b9

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽