Полное описание

Гриценко, В. А. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти / В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов ; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск). - Новосибирск : ИПФ СО РАН, 2017. - 351 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 200 экз. - ISBN 978-5-98901-198-8. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.33	537.226:539.216.2
50.11.31	004.33.087.2

Рубрики:
Диэлектрические пленки
Запоминающие устройства полупроводниковые

Аннотация: Монография посвящена физике диэлектрических пленок в кремниевых приборах. Рассматриваются строение, электронная структура объема и дефектов в диэлектриках SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, TiO2. Монография предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и диэлектриков, полупроводниковых приборов, студентов, аспирантов, обучающихся физике твердого тела и микроэлектронике.
Доп. точки доступа:
Исламов, Д.Р.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-17/63497)

Шифр в сводном ЭК: e282661b35078b39dde39088ac45835d

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽