Полное описание

Арустамян, Д. А. Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Д. А. Арустамян. - 2017. - 19 с. - Библиогр.: с. 16-19 (22 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.51-022.532-03(043)

Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-8275)

Шифр в сводном ЭК: 75f4b4712718e11c5fd1497e638872bd

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽