Полное описание

Технология выращивания кристаллов нитрида галлия / . ; под ред. Д. Эрентраута и др.; пер. с англ. К. В. Юдинцева; под ред. В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. - М. : Техносфера, 2011 (Чебоксары). - 383 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - 1500 экз. - ISBN 978-5-94836-293-9. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:548.5

Рубрики:
Галлий, нитриды -- Кристаллизация

Аннотация: Анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе CaN. Мотивация и задачи по внедрению данной технологии в конкретные производства.
Доп. точки доступа:
Эрентраут, Д.\ред.\

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-11/51713)

Шифр в сводном ЭК: 29e329de7e1305be4202659a1f9585f5

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽