Полное описание
>
Филонов, Н. Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия / Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет. - Томск : Изд. Дом Том. гос. ун-та, 2018. - 362 с. : ил. - Библиогр.: с. 318-343 (326 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-94621-757-6. - Текст : непосредственный.На обл.: Том. гос. ун-ту 140 лет.
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9 | |
621.382.2.018.756 |
Рубрики:
Гетеропереходы
Диоды импульсные
Аннотация: В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs.
Доп. точки доступа:
Ивонин, И.В.
Национальный исследовательский Томский государственный университет
Томский государственный педагогический университет
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-18/61656)>
Шифр в сводном ЭК: 074ca8c2050d2d2099ca40984e7eb1d0
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания