Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия / Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин, 2018. - 362 с. - Текст : непосредственный.
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1606) : Исследование латерального роста соединений A B : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1980-1990 гг. / Л.П.Пороховниченко,И.В.Ивонин,Л.А.Борисенко, 1991. - 36 с. - Текст : непосредственный.
Ультрадисперсные и наноразмерные порошки: создание, строение, производство и применение / Ю. А. Бирюков [и др.], 2009. - 190 с. - Текст : непосредственный.
Ивонин И.В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. В. Ивонин, 1998. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Создание производства субмикронных и наноразмерных порошков и их применение в машиностроении / Ю. А. Бирюков, Л. Н. Богданов, И. В. Ивонин [и др.]. - Текст : непосредственный // Нанотехнологии - производству 2010 : тр. Междунар. науч.-практ. конф., 1-3 дек. 2010 г., Фрязино. - М. - 2011. - с. 219-222
Приложение
для Android