Полное описание

Ар19-8237
621.383/К 659
Копьев, В. В. Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : 01.04.10 - Физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. В. Копьев. - Томск : [б. и.], 2019. - 21 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-21. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.52(043)

Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- полупроводниковые гетероструктуры -- нитрид галлия -- нитрид индия-галлия -- наногетероструктуры
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Обложка

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽