Личный кабинет


Ж2-21/72222
621.315.5/А 527
Алтухов, Виктор Иванович. Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) = Models calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) : к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год : монография / В. И. Алтухов, А. В. Санкин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Северо-Кавказский федеральный университет. - Пятигорск ; Москва : СКФУ, 2021. - 659 с. : ил. - Парал. тит. л. англ. - Библиогр.: с. 526-582. - 500 экз. - ISBN 978-5-6046722-4-2 : 260 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.
ГРНТИ УДК
47.09.29621.315.592
47.13.11621.315.592.9
47.33621.382.026

Рубрики:
Полупроводники
Гетероструктуры
Полупроводниковые приборы силовые

Кл.слова (ненормированные): широкозонные материалы -- полупроводниковые гетероструктуры -- диоды -- производство -- наноструктурированные материалы -- полупроводниковые наноструктуры -- кристаллы -- симметрия -- структурные фазовые переходы -- кристаллы с дефектами -- кристаллы с фазовыми переходами -- кинетические свойства -- сегнетоэлектрики -- тепловое сопротивление -- сегнетоэлектрические кристаллы
Аннотация: С единых позиций на основе квантовых формул Кубо-Гринвуда развиты модели и рассчитано поведение особенностей тепловых, электрических свойств кристаллов карбида кремния (SiC), его твердых растворов (SiC-AIN), реальных кристаллов, диэлектриков (подложки), сегнетоэлектриков, а также поведение - характеристики гетероструктур, диодов и светодиодов силовой электроники. В приложениях приведены значения использованных универсальных физических постоянных; показана структура монокристаллов SiC и его политипов; как пример приведен ряд программ расчета различных свойств, характеристик, рассмотренных в работе материалов, диодов и светодиодов. В работе выявлены новые квантовые эффекты теплового, электрического сопротивления, рассмотренных в работе материалов-систем. Описана запатентованная установка для выращивания совершенных монокристаллов SiC и SiC-AIN. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки. Рассчитаны ВАХ диодов и положения полос спектра светодиодов на основе твердых растворов карбида кремния.
Доп. точки доступа:
Санкин, Александр Викторович
Северо-Кавказский федеральный университет (Ставрополь)
Экз-ры полностью Ж2-21/72222
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), ФО24 (1)
Свободны: ПНТ (1), ФО24 (1)
Обложка