• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Ж2-20/71189
    621.315.5/А 437
    Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под редакцией А. В. Латышева. - Новосибирск : Параллель, 2020. - 244 с. : ил., цв. ил. - Библиогр.: с. 189-224. - 500 экз. - ISBN 978-5-98901-241-1 : 200 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    29.19.31621.315.592.9-022.532
    47.09.48537.311.322:539.23
    47.33.33621.383
    621.38

    Рубрики:
    Наноструктурные материалы полупроводниковые
    Эпитаксия
    Фотоника
    Электроника

    Кл.слова (ненормированные): низкоразмерные системы -- поверхность -- гетерограницы -- структурные дефекты -- электронные материалы -- полупроводниковая оптоэлектроника -- полупроводниковая фотоэлектроника -- оптика -- лазерная спектроскопия -- квантовая информатика -- моделирование физических процессов -- научное приборостроение
    Аннотация: В настоящем издании представлены наиболее значимые результаты научно-исследовательских работ и прикладных разработок ИФП СО РАН за 2019 год, которые отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников. Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.
    Доп. точки доступа:
    Латышев, Александр Васильевич\ред.\
    Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
    Экз-ры полностью Ж2-20/71189
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
    Свободны: ПНТ (1)
    Обложка



    Заказ фрагмента документа ₽