Личный кабинет


Ж2-18/65163
621.315.5/А 448
Акчурин, Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Р.Х. Акчурин, А. А. Мармалюк. - Москва : ТЕХНОСФЕРА, 2018. - 487 с. : ил. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр. в конце гл. - 200 экз. - ISBN 978-5-94836-521-3 : 260 р. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК
47.09.29621.315.592.9-047.84
47.13621.383-03-047.84
621.38-03-047.84

Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Оптоэлектронные приборы -- Материалы -- Производство
Электронные материалы -- Производство

Аннотация: Рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС- гидридной эпитаксии (МОСГЭ)- одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Доп. точки доступа:
Мармалюк, А.А.
Экз-ры полностью Ж2-18/65163
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), ФО26 (1)
Свободны: ПНТ (1), ФО26 (1)
Оглавление