Приложение
для AndroidПолное описание
Саркаров, Т. Э. Разработка процессов формирования диэлектрических пленок и микроэлектронных устройств для интегральной электроники : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01 / Т. Э. Саркаров. - Нальчик : [б. и.], 2002. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 28-30 (30 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.31 | 621.315.61-416.002(043) | |
| 47.13.11 | 621.3.049.771.14.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Электронная керамика / ВЦП. - 27 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Сидорова Н.М. Синтез и исследование физико-химических свойств соединений в системах BaO-Ln O -TiO(Ln=La,Nd,Sm) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.17.11 / Н. М. Сидорова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кулахметов Ф.Х. Активация диэлектрических и полупроводниковых материалов неравновесными электрическими разрядами в газах применительно к повышению адгезионных свойств поверхности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ф. Х. Кулахметов, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов П.В. Механизмы образования и роста парового пузыря при импульсном электрическом пробое неполярных жидких диэлектриков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.14 / П. В. Смирнов, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Конусов Ф.В. Центры захвата и рекомбинации носителей заряда в керамике на основе нитрида бора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ф. В. Конусов, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБокша В.В. Разработка основ технологии создания маскирующих слоев для БИС методом лазерной вакуумной проекционной литографии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Бокша, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.Будза А.А. Разработка и исследование технологии выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии базовых структур с гетеропереходами для ССИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. / А. А. Будза, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Митькин Ю.А. Разработка теории процессов и технологий нанесения жидких электроизоляционных материалов на длинномерные изделия с использованием для калибрования электрических и магнитных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.09.02 / Ю. А. Митькин, 1993. - 34 с. - Текст : непосредственный.Сунь Чанку.Разработка и исследование автоматизированных оптико-электронных методов контроля качества заготовок микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / Сунь Чанку, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Козлитин А.И. Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. И. Козлитин, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный.Головин С.В. Разработка автоматизированных методик контроля и оптимизации технологии МОП-БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / С. В. Головин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Методы оценки и обеспечения долговечности контактных систем многослойной металлизации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. А. Смирнов, 1995. - 17 с. - Текст : непосредственный.Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный.Самойликов В.К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.07;05.27.01 / В. К. Самойликов, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный.Семенов О.Ю. Разработка и исследование технологии изготовления структур "кремний на изоляторе" с применением избирательного химического травления кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / О. Ю. Семенов, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный.Райнова М.Ю. Исследование и разработка процессов формирования непроникающих омических контактов на основе силицида титана к мелкозалегающим Р-П-переходам кремниевых ИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / М. Ю. Райнова, 1997. - 23 с. - Текст : непосредственный.Сырчин В.К. Основы проектирования процессов и устройств для производства СБИС с использованием плазмы магнетронного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.07 / В. К. Сырчин, 1997. - 41 с.ил. - Текст : непосредственный.Рощин В.М. Формирование и исследование свойств тонких пленок вольфрама, полученных при импульсной конденсации электроэрозионной плазмы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.06 / В. М. Рощин, 1997. - 36 с. - Текст : непосредственный.Березин А.С. Разработка и исследование метода защиты полупроводниковых пластин от поверхностных загрязнений в чистых технологических миниобъемах микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.07 / А. С. Березин, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / Е. В. Булыгина, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Закономерности низкотемпературного химического осаждения нитридных и оксинитридных пленок из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 05.27.06 / С. Е. Александров, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пономарь В.Н. Планаризация диэлектрика и повышение термостабильности алюминия при создании интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Н. Пономарь, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сауров А.Н. Методы самоформирования в микроэлектронике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / А. Н. Сауров, 1999. - 46 с. - Текст : непосредственный.Чуканов С.В. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / С. В. Чуканов, 1999. - 24 с. - Текст : непосредственный.Шапоренко А.П. Исследование взаимодействия оксида бора с поверхностью Si(III)методом дифракции быстрых электронов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.07 / А. П. Шапоренко, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽