Полное описание
>
Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 25 с. : ил. - Пер. докл. Ceramics in Microelectronic Packaging / R. R. Tummala ; International Symposium on Ceramic Substrates and Package(;1989) из кн.: // Proceedings. - S.l., S.a. - P.3-16. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: 24 назв.
ГРНТИ 47.13.11 + 47.09.31
Рубрики:
Микроэлектронные приборы
Доп. точки доступа:
Tummala, R. R.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Электронная керамика / ВЦП. - 27 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Сидорова Н.М. Синтез и исследование физико-химических свойств соединений в системах BaO-Ln O -TiO(Ln=La,Nd,Sm) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.17.11 / Н. М. Сидорова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кулахметов Ф.Х. Активация диэлектрических и полупроводниковых материалов неравновесными электрическими разрядами в газах применительно к повышению адгезионных свойств поверхности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ф. Х. Кулахметов, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов П.В. Механизмы образования и роста парового пузыря при импульсном электрическом пробое неполярных жидких диэлектриков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.14 / П. В. Смирнов, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Конусов Ф.В. Центры захвата и рекомбинации носителей заряда в керамике на основе нитрида бора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ф. В. Конусов, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПрименение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Машина для нанесения покрытия : Руководство по монтажу и эксплуатации машины для нанесения покрытия / ВЦП. - 22 c. - Текст : непосредственный.Установка для эвтектического монтажа кристаллов с ультразвуковой/механической очисткой моделей 7300А/7316А фирмы Вест-Бонд : Инструкция по эксплуатации / ВЦП. - 42 c. - Текст : непосредственный.Межотраслевая научно-техническая программа России "Физика твердотельных наноструктур" : Сб.результатов,полученных в 1993 г. / Науч.совет по МНТП России "Физика твердотельных наноструктур", 1994. - 172 c. - Текст : непосредственный.Элементная база микро-и наноэлектроники:физика и технология : Межвуз.сб. / Моск.гос.ин-т электрон.техники (техн.ун-т), 1994. - 179 c. - Текст : непосредственный.Государственная научно-техническая программа "Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники" : Информ. материал о н.-и. проектах, получивших финансирование по результатам конкурса на 1995 г. / М-во науки и технической политики Рос. Федерации, 1995. - 69 c. - Текст : непосредственный.Berechnung des Verformungsverhaltens einer Mikrobiegevorrichtung / W.Jansohn,P.Piesch,T.J.Reinke,C.Tsakmakis, 1995. - III,60 S. S. - Текст : непосредственный.Никифорова Э.В. Материалы и элементная база микроэлектроники : Учеб.пособие / Э.В.Никифорова, 1995. - 48 c. - Текст : непосредственный.Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры : Межвуз. сб. науч. тр. / Воронеж. гос. техн. ун-т, 1995. - 138 c. - Текст : непосредственный.Gobel H. Herstellung und Analyse kunstlicher Nano-/Mikrostrukturen mit der Rastersondenmikroskopie : Diss. / H.G@:obel, 1996. - III,145 S. S. - Текст : непосредственный.Медведев С.П. Физика полупроводниковых и микроэлектронных приборов (биполярные приборы) : Учеб.пособие по спец.200 100 и 200 200 по дисциплине "Физика полупроводниковых и микроэлектронных приборов" / С.П.Медведев, 1996. - 158 с. - Текст : непосредственный.Hoffmann T. Miniaturisierung auf Baugruppenebene / T.Hoffmann, 1992. - 319 S. - Текст : непосредственный.Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры : Межвуз.сб.науч.тр. / Воронеж.гос.техн.ун-т, 1997. - 145 с. - Текст : непосредственный.Murek U. Interferenzeffekte im Leitwert von metallischen Nanometer-Strukturen : Diss. / U.Murek, 1991. - IV, 154 S. 154 S. - Текст : непосредственный.Проектирование и производство микросборок : Учеб. пособие / В.А.Лопухин,О.И.Илларионов,О.А.Нестеров,Д.К.Шелест;Под ред. В. А. Лопухина, 1992. - 121 с. - Текст : непосредственный.Schmidt H. Aufbau eines Systems zur Untersuchung der Koharenzeigenschaften feldemittierter Elektonen : Diss. / H.Schmidt, 1991. - 71 S. - Текст : непосредственный.Богатырев Е.А. Учебное пособие по курсу "Электронные цепи и основы микропроцессоров". Структурный синтез микроэлектронных устройств в базисе стандартных ИМС / Е. А. Богатырев, Н. Н. Савков, Ю. А. Гребенко, 1991. - 57 с. - Текст : непосредственный.Белоусова М.Ю. Электронные и ионные эффекты в микроэлектронных структурах : Тексты лекций / М.Ю.Белоусова, 1991. - 106 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1563) : БИСПИН - новый прибор микроэлектроники / С.С.Булгаков,О.Д.Кнаб,А.П.Лысенко,Ю.А.Мома, 1990. - 71 с. - Текст : непосредственный.Ramcke T. Technologiegrundlagen und Schaltungskonzepte fur Einzelelektronen-Bauelemente : Diss. / T.Ramcke, 2000. - 171 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽