Приложение
для AndroidПолное описание
Барг, А. И. Фазообразование и диффузия в тонких аморфных пленках Ni-Nb на кремнии : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. И. Барг. - М. : [б. и.], 1992. - 21 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск.ин-т стали и сплавов. Библиогр.: с. 20-21(7 назв.).
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382-047.84:621.793(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБарг А.И. Фазообразование и диффузия в тонких аморфных пленках Ni-Nb на кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. И. Барг, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Weidner J.-O. Charakterisierung der Zuverlassigkeit von sub-мm AlSiCu/TiN/Ti/n-Si- Kontakten bei hochbeschleunigten Lebensdauertests : Diss. / J.-O.Weidner, 1999. - 102 S. - Текст : непосредственный.Разработка способов оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Х. М. Гукетлов, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.Механизмы деградационных процессов и оплавления в системах металлизации на кремнии при импульсных токовых воздействиях : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Рыбин, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Зау Пхо Аунг.Повышение адгезии металлических покрытий на нитриде алюминия при нанесении магнетронной распылительной системой с горячей мишенью : специальность 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Зау Пхо Аунг, 2021. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽