Приложение
для AndroidПолное описание
Жук, С. В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.05, 05.13.16 / С. В. Жук. - М. : [б. и.], 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Моск. ин-т тонкой хим. технологии им.М.В.Ломоносова. Библиогр.:с. 17-18(11 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.002:621.373.8(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКапаев В.В. Лазерный отжиг полупроводников и образование поверхностных периодических структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.21 / В. В. Капаев, 1991. - 41 с. - Текст : непосредственный.Джумамухамбетов Н.Г. Фотолюминесценция модифицированных лазерным излучением кристаллов GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. Г. Джумамухамбетов, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Железный С.В. Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.06 / С. В. Железный, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Кияк С.Г. Модификация поверхности полупроводников лазерными импульсами миллисекундного и секундного диапазонов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. Г. Кияк, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.05, 05.13.16 / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽