Полное описание
>
Марков, К. А. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / К. А. Марков. - Н. Новгород : [б. и.], 2002. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 14-16
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592.9.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Марков К.А. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. А. Марков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Марков К.А. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / К. А. Марков, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Мынбаев К.Д. Диффузионное и ионно-лучевое легирование Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Мынбаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Тысченко И.Е. Высокотемпературная ионная имплантация в кремний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физико-мат.наук:01.04.10 / И. Е. Тысченко, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Хаки Исмаиль Хаки Тахер.Воздействие радиационных дефектов на диффузию фосфора в имплантированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Хаки Исмаиль Хаки Тахер, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Белых Т.А. Особенности дефектообразования при имплантации ионов повышенной энергии в твердые тела : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Т. А. Белых, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.05 / С. П. Авдеев, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Чернова Н.А. Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Н. А. Чернова, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щербакова Е.Н. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках тугоплавких металлов и системах металл-полупроводник при обработке плазмой активных газов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. Н. Щербакова, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный.Барабаненков М.Ю. Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:05.27.01 / М. Ю. Барабаненков, 2001. - 46 с. - Текст : непосредственный.Гумаров Г.Г. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Г. Г. Гумаров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Джабраилов Т.А. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Т. А. Джабраилов, 2001. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ефимов А.А. Технология и оборудование для ионно-вакуумной модификации поверхностных слоев полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.11.14 / А. А. Ефимов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Изюмов М.О. Исследование процессов травления диоксида кремния, кремния, полимерных пленок в химически активной плотной плазме ВЧ индукционного разряда низкого давления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.27.01 / М. О. Изюмов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стук А.А. Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.05 / А. А. Стук, 2000. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кабышев А.В. Ионно-термическая модификация неорганических диэлектриков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / А. В. Кабышев, 2001. - 42 с. - Текст : непосредственный.Лысенко Л.Н. Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Л. Н. Лысенко, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Терентьев С.А. Разработка низкоэнергетического СВЧ вакуумно-плазменного травления структур микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.09.10,05.27.01 / С. А. Терентьев, 2002. - 16 c. - Текст : непосредственный.Бердников А.Е. Разработка и исследование технологии высокоскоростного осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов в плазме низкочастотного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. Е. Бердников, 2001. - 38 с. - Текст : непосредственный.Волкова С.М. Получение молекулярных пленок на основе тетракис-хелатных комплексов и аддуктов редкоземельных элементов и исследование их свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / С. М. Волкова, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Грушевский А.М. Монтаж многокристальных модулей на гибких полиимидных носителях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. М. Грушевский, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЖмакин А.И. Численное моделирование гидродинамических процессов при выращивании полупроводниковых структур методами газофазной и жидкофазной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.02.05 / А. И. Жмакин, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Пак Чер.Исследование влияния редкоземельной примеси на процесс эпитаксиального роста и свойства эпитаксиальных слоев GaSb и GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Пак Чер, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Тийс С.А. Поведение никеля на атомарно-чистых поверхностях кремния и индуцируемые им структуры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / С. А. Тийс, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Макарова Т.Л. Эллипсометрическая диагностика структур полупроводник-окисел : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Т. Л. Макарова, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Агапов Б.Л. Физико-химические основы формирования гетероструктур со слоями соединений A B : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Б. Л. Агапов, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Марков В.А. Формирование поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии германия, кремния и их твердых растворов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. А. Марков, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Иошкин В.А. Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевом эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / В. А. Иошкин, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / У. М. Кулиш, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Злотникова И.Я. Теоретическое и экспериментальное исследование процесса термического окисления кремниевых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. Я. Злотникова, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Власукова Л.А. Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.экон.наук:01.04.07 / Л. А. Власукова, 1995. - 15 с.:ил. - Текст : непосредственный.Королев А.Н. Квазихимическое взаимодействие при формировании приповерхностных легированных слоев и кристаллизации пленок в газофазных процессах диффузии и роста : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / А. Н. Королев, 1996. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пчеляков О.П. Формирование пленок и наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / О. П. Пчеляков, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Супрун С.П. Особенности формирования гетерограниц в системах Ge-ZnSe-GaAs и Pt-Si : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. П. Супрун, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рубец В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок теллурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. П. Рубец, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / И. С. Суровцев, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный.Осинский А.В. Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлоорганических соединений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:01.04.10 / А. В. Осинский, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ефремов М.Д. Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Д. Ефремов, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Потапов А.В. Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si Ge /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Потапов, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лепшин П.А. Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / П. А. Лепшин, 1999. - 19 . - Текст : непосредственный.Мажорова О.С. Разработка, исследование и применение вычислительных алгоритмов в задачах полупроводниковой технологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.13.16 / О. С. Мажорова, 1999. - 29 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽