Приложение
для AndroidПолное описание
Нечипорук, Б. Д. Эффекты структурного разупорядочения в спектрах комбинационного рассеяния света кристаллического и аморфного кремния : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. Д. Нечипорук. - Киев : [б. и.], 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: АН Украины,Ин-т полупроводников. Библиогр.: с. 15-16(12 назв.).
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.3.049.76.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛеонов Ю.С. Взаимодействие наносекундных потоков энергии из высокотемпературной плазмы с материалами микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10 / Ю. С. Леонов, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Бакланов М.Р. Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si,Ge и SiO : Дис..д-ра хим.наук в форме науч.докл:02.00.04 / М. Р. Бакланов, 1991. - 47 с. - Текст : непосредственный.Нечипорук Б.Д. Эффекты структурного разупорядочения в спектрах комбинационного рассеяния света кристаллического и аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. Д. Нечипорук, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Филин С.А. Технология высокоэффективной очистки твердотельных микроэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / С. А. Филин, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Чапланов А.М. Стационарный и импульсный отжиг тонких пленок : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / А. М. Чапланов, 1992. - 32 с. - Текст : непосредственный.Казаков А.И. Исследование устойчивости технологических процессов микроэлектроники и многокомпонентных полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / А. И. Казаков, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Медведев Б.К. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AlGaAs для приборов микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10:05.27.01 / Б. К. Медведев, 1992. - 81 с. - Текст : непосредственный.Буравлев А.В. Стимулированная точечными дефектами твердофазная эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния и перестройка дефектов в ионно-имплантированных слоях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Буравлев, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Миррахматов С.Ш. Повышение механической устойчивости структурно-неоднородных паяных соединений элементов микроэлектронных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. Ш. Миррахматов, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Варцов В.В. Технология электроосаждения алюминия из неводных электролитов на выводные рамки электронных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук (в форме науч.докл.):05.27.07 / В. В. Варцов, 1993. - 33 с. - Текст : непосредственный.Гуляев А.А. Разработка методов и средств автоматизации технологических процессов ультразвуковой микросварки изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук (в форме науч.докл.) / А. А. Гуляев, 1993. - 32 с. - Текст : непосредственный.Радаев А.А. Разработка статистического метода контроля дефектности рабочих пластин на основе моделирования выхода годных и его применение при анализе и прогнозировании производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Радаев, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Симакин С.Г. Вторично-ионная масс-спектрометрия тонкопленочных структур микроэлектронной технологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. Г. Симакин, 1995. - 23 с. - Текст : непосредственный.Васильев А.Г. Исследование одностадийных низкотемпературных процессов формирования силицидных контактных и нитридных барьерных слоев для технологии микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Г. Васильев, 1995. - 35 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.С. Высокочастотный разряд и его приложения в плазменной технологии и лазерной технике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / А. С. Смирнов, 1995. - 29 с. - Текст : непосредственный.Михалев П.А. Технология изготовления упругих элементов клавиатур микроэлектроники из силоксановых композиций : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 02.00.16 / П. А. Михалев, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Илларионов О.И. Статистическое регулирование технологических процессов изготовления микроэлектронных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук: 05.12.13 / О. И. Илларионов, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гельбух С.С. Исследование процессов роста субмикронных слоев на поверхности монокристаллов ниобия и кремния методом оже-электронной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / С. С. Гельбух, 1996. - 14 с. - Текст : непосредственный.Гринько В.В. Локальная модификация поверхности проводящих материалов в туннельном микроскопе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Гринько, 1996. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽