Приложение
для AndroidПолное описание
Пак Тэ Хва. Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва. - Ташкент : [б. и.], 1991. - 19 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Ташк.гос.ун-т им.В.И.Ленина. Библиогр.: с. 19(5 назв.).
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЕршова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Оптоэлектронные процессы в многослойных структурах на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Н. Селезнев, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Носенко С.В. Влияние атомарного водорода на свойства структуры Si-SiO : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. В. Носенко, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. А. Гольдберг, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Ермолов А.В. Электрофизические и структурные характеристики сформированной лазерным напылением границы раздела InSb-CdTe для МДП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Ермолов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бадалов А.З. Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. З. Бадалов, 1992. - 39 с. - Текст : непосредственный.Сторонский Н.М. Кулоновская гибридная локализация электронов в неупорядоченных системах и ее влияние на электрофизические свойства МДП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. М. Сторонский, 1992. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сумарока А.М. Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Сумарока, 1993. - 23 с. - Текст : непосредственный.Лазутин Ю.А. Быстродействующие диодно-транзисторные ограничители мощности для приемных модулей СВЧ в гибридноинтегральном и монолитном исполнениях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. А. Лазутин, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жукова Т.В. Исследование ионоселективных полевых транзисторов,избирательных к ионам CL ,BF ,K и NH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / Т. В. Жукова, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ольшанецкий Е.Б. Эффекты локализации и интерференции в низкоразмерных системах на основе кремния и арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. Б. Ольшанецкий, 1995. - 17 с. - Текст : непосредственный.Куршева Е.Н. Численное моделирование структур мощных высоковольтных биполярных и ДМОП транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Е. Н. Куршева, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Убайдуллаев М.А. Разработка технологии создания и исследование высоковольтных переключающих арсенид-галлиевых структур с полевым управлением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Убайдуллаев, 1996. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ващенко В.А. Изотермическая неустойчивость и шнурование тока в полевых транзисторах и полупроводниковых структурах (к проблеме внезапных отказов и ограничений области режимов работы полевых транзисторов) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. А. Ващенко, 1997. - 34 с. - Текст : непосредственный.Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10,01.04.03 / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифорова И.О. Формирование и исследование зарядовых свойств МДП структур на основе оксида алюминия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. О. Никифорова, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Пашковский А.Б. Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Б. Пашковский, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽