Приложение
для AndroidПолное описание
Иванов, П. А. Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.10 / П. А. Иванов. - СПб : [б. и.], 2001. - 45 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос. АН, Физико-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 40-45
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Зубков В.И. Матричные и линейные ПЗС со встроенными периферийными устройствами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. И. Зубков, 1992. - Текст : непосредственный.Растегаев В.П. Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / В. П. Растегаев, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зотина Е.Н. Об одной задаче расчета и оптимизации конструкции полупроводникового прибора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:05.13.16 / Е. Н. Зотина, 1993. - 17 л. - Текст : непосредственный.Мосанов О. Явления переноса в полупроводниках (InSb,Bi-Sb) в магнитном поле в отсутствие поперечных ЭДС и приборы на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / О. Мосанов, 1993. - 41 с. - Текст : непосредственный.Симанович Е.В. Перенос носителей и накопление заряда в МДП структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. В. Симанович, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Яржембицкий В.Б. Неравновесные процессы в поверхностно-барьерных структурах при комбинированных внешних воздействиях и приборы на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / В. Б. Яржембицкий, 1995. - 37 с. - Текст : непосредственный.Мавлянов Р.К. Получение аморфных и микрокристаллических тонкопленочных материалов а-Si C H, -SiH и исследование свойств пленок и приборных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Р. К. Мавлянов, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сапольков А.Ю. Геттерирование подвижных ионов в диэлектрических слоях МДП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Ю. Сапольков, 1996. - 21 с. - Текст : непосредственный.Тишин Ю.И. Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук:05.27.01 / Ю. И. Тишин, 1999. - 50 с. - Текст : непосредственный.Когай В.Я. Сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл/ХСП и разработка приборов на ее основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / В. Я. Когай, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Иванов П.А. Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.10 / П. А. Иванов, 2001. - 45 с. - Текст : непосредственный.Лысенко А.П. Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. П. Лысенко, 2001. - Текст : непосредственный.Криворотов Н.П. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :01.04.10 / Н. П. Криворотов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Исаев М.Ю. Исследование свойств биспин-структур и разработка приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / М. Ю. Исаев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шамуратов Х.А. Кубический карбид кремния: получение, свойства и приборы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Х. А. Шамуратов, 1990. - 36 с. - Текст : непосредственный.Гуляев А.М. Технология приготовления на неориентирующих подложках и электрофизические свойства пленок антимонида индия, предназначенных для создания акустоэлектронных и гальваномагнитных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.10 / А. М. Гуляев, 1989. - 37 с. - Текст : непосредственный.Доника Ф.Г. Получение и характеризация некоторых полупроводниковых сложных халькогенидов и разработка приборных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10, 01.04.18 / Ф. Г. Доника, 1990. - 63 с. - Текст : непосредственный.Красовский В.Ф. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов (TlSbS2) -(TlSbSe )x и приборных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Ф. Красовский, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽