Приложение
для AndroidПолное описание
Оразбердыев, А. Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев. - Ашхабад : [б. и.], 1991. - 18 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: АН ТССР:Физ.-техн.ин-т. Библиогр.: с. 16-18(15,3 назв.).
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.29 | 621.382.2(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Перенос электронов и ионов в плазменных средах магнетронов / ВЦП.Киев.ред. - 10 с. - Текст : непосредственный.Модель переноса энергетических электронов в магнетронных разрядах / ВЦП.Киев.ред. - 23 с. - Текст : непосредственный.Осциллограф "Тектроникс" 2232" / ВЦП. - 176 с. - Текст : непосредственный.Источник рентгеновского излучения КМ 12505S P1506 / ВЦП. - 11 с. - Текст : непосредственный.Рентгеновские трубки для применения в рентгенографии, где важна разрешающая способность / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Формирователь отклоняющих напряжений ASG 04 / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Т912 10МГц. Запоминающий осциллограф с дополнительными устройствами : Инструкция по эксплуатации / ВЦП. - 193 c. - Текст : непосредственный.Рыбаков А.Б. Теория полого катода в дуговом режиме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / А. Б. Рыбаков, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ломакин О.Е. Анализ замедляющих систем на основе моделей с распределенными параметрами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.07 / О. Е. Ломакин, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чурилов Г.Н. Разработка и исследование генераторов плазмы килогерцевого диапазона частот : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Н. Чурилов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Юдин Б.И. Исследование тепловых процессов в полом катоде : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Б. И. Юдин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Валеева А.А. Численное исследование тепловых и газодинамических характеристик в канале СВЧ плазмотрона радиального типа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / А. А. Валеева, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Красик Я.Е. Исследование генерации мощных ионных пучков в модифицированных диодных системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.02 / Я. Е. Красик, 1991. - 50 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Петков А.П. Оптические пространственно-временные исследования плазменных источников и их применение на практике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.05 / А. П. Петков, 1990. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДемидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дроздовская Л.М. Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных PIN-диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / Л. М. Дроздовская, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сизюк В.А. Исследование плазменных неустойчивостей и переноса заряда в полупроводниковых микроструктурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.04 / В. А. Сизюк, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.А. Физические процессы в p-i-n-структурах и методы расчета функциональных характеристик p-i-n-диодов и магнитодиодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени физ.-мат. наук:01.04.10 / А. А. Абрамов, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.Пашковский А.Б. Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Б. Пашковский, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мередов М.М. Процессы токопереноса, фотоэффект и фотомагнитный эффект в диодных структурах на основе InAs, InP и их тройных твердых растворах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / М. М. Мередов, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный.Поляков М.Ю. Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / М. Ю. Поляков, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кузьмин В.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. В. Кузьмин, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Скворцов С.И. Нелинейные динамические режимы работы магнитодиодов и магнитотранзисторов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат.наук : 05.27.01 / С. И. Скворцов, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Золотарев Е.С. Шумовые диоды с катодным статическим и движущимися доменами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.03, 01.04.10 / Е. С. Золотарев, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный.Малимон И.В. Анизотропия горячей электролюминесценции карбидкремниевых диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. В. Малимон, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Морозова О.Н. Влияние радиационно-термических обработок на дефекты структуры и спектры глубоких уровней в тонких эпитаксиальных слоях GaAs и диодах на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / О. Н. Морозова, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Цыранов С.Н. Динамика электронно-дырочной плазмы в SOS-диодах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / С. Н. Цыранов, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Влияние спейсерных слоев на статические и высокочастотные характеристики резонансно-туннельного диода : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Ремнев, 2013. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шевлягин А.В. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. В. Шевлягин, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный.Рогожина Г.А. Экспериментальные методы изготовления и исследования диодных структур на базе нанокристаллического пористого кремния : 01.04.01 - Приборы и методы экспериментальной физики : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Г. А. Рогожина, 2019. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽