Приложение
для AndroidПолное описание
Боженов, А. В. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Боженов. - М. : [б. и.], 2001. - 25 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Моск. гос. ин-т стали и сплавов (технол. ун-т). Библиогр.:с. 23-25(12 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9-047.84(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лабутин О.А. Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гидридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Лабутин, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Залевский И.Д. Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.06 / И. Д. Залевский, 1999. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лагов П.Б. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / П. Б. Лагов, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Марков К.А. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. А. Марков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Боженов А.В. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Боженов, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Косарев А.М. Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. М. Косарев, 2004. - 34 c. - Текст : непосредственный.Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. Ю. Андреев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Совершенствование технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии на основе программного комплекса : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.11.01 / Д. Е. Арбенин, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Кузубов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. И. Дусь, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs методом мосгидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 05.27.06 / Н. Т. Вагапова, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Новиков В.А. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мустафаев А.Г. Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки : автореф. дис. .. д-ра техн. наук : 05.27.06 / А. Г. Мустафаев, 2011. - 32 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мос-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 05.37.06 / Н. Т. Ваганова, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. С. Васютин, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Денисов, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный.Якименко А.Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Н. Якименко, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Д. В. Юрасов, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кострюков В.Ф. Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия : автореф. дис. .. д-ра хим. наук : 02.00.01 / В. Ф. Кострюков, 2011. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽