Приложение
для AndroidПолное описание
Павликов, А. В. Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Павликов. - М. : [б. и.], 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак. Библиогр.:с. 22-24 (9 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.9-022.532(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Сафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНайденков М.Н. Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Н. Найденков, 1997. - 23 с. - Текст : непосредственный.Устинов В.М. Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.:01.04.10 / В. М. Устинов, 1998. - 39 с. - Текст : непосредственный.Парбуков А.Н. Исследование свойств наноструктурированного пористого кремния и применение его в технологии микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Н. Парбуков, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бирюлин П.И. Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / П. И. Бирюлин, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный.Иванов С.В. Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А В (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Иванов, 2000. - 40 с. - Текст : непосредственный.Павликов А.В. Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Павликов, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.Кудряшов В.Е. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. Е. Кудряшов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Казанцева И.А. Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / И. А. Казанцева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шоболов Е.Л. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In Ga As : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Е. Л. Шоболов, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Минцев А.В. Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Минцев, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Драка О.Е. Гетероструктуры InSb1-xBix/InSb и GaSb1-xBix/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / О. Е. Драка, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Драка О.Е. Гетероструктуры InSb Bi /InSb и GaSb Bi /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / О. Е. Драка, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный.Wang J. Intrinsic dynamics of low-dimensional semiconductor quantum-well, wire and box lasers : Diss. / J.Wang, 1997. - VII,170 p. p. - Текст : непосредственный.Квантовые точки I и II типа : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Евстифеев В.В. Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. В. Евстифеев, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.Электронный транспорт в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/InyGa1-yAs/GaAs : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.01.09 / И. С. Василевский, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. В. Иконников, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / И. Д. Рухленко, 2006. - 20 с. - Текст : непосредственный.Гетероструктуры c Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / М. В. Шалеев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7167 : Co-tunneling current and shot noise in molecules and quantum dots : Diss. / A.Thielmann, 2005. - 138 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽