Приложение
для AndroidПолное описание
Манчук, Р. В. Феноменалогические основы технологии энергетических резисторов : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.14.02, 05.23.05 / Р. В. Манчук. - Новосибирск : [б. и.], 2000. - 42 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 39-42(34 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.59.33 | 621.316.86(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Морозов А.Я. Методы и средства радиоволнового контроля диэлектрических параметров материалов СВЧ резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.13 / А. Я. Морозов, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Иванов Н.И. Совершенствование технологии контактной микросварки Т-образных соединений покрытых деталей в массовом производстве резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.03.06 / Н. И. Иванов, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Афанасьев В.П. Структуры сегнетоэлектрик - полупроводник: свойства, технология и применение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:01.04.10 / В. П. Афанасьев, 1997. - 32 с. - Текст : непосредственный.Осипенкова Н.Г. Исследование и разработка высокомарганцевых стекол для толстопленочных резисторов, не содержащих драгоценных металлов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / Н. Г. Осипенкова, 1999. - 24 с. - Текст : непосредственный.Шевчик А.П. Многокомпонентные материалы и резистивные изделия на основе хромита лантана : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.17.11 / А. П. Шевчик, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Малышев А.В. Автоматизация управления проектированием пленочных аттенюаторов и резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.06 / А. В. Малышев, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Манчук Р.В. Феноменалогические основы технологии энергетических резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.14.02, 05.23.05 / Р. В. Манчук, 2000. - 42 с. - Текст : непосредственный.Кондратенко И.Ю. Разработка обобщенной теплофизической методики для исследования контактных термосопротивлений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :01.04.14 / И. Ю. Кондратенко, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стерхова А.В. Разработка математического и программного обеспечения для исследования моделей электропроводности толстопленочных резисторов в рамках теории перколяции : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.13.18,01.04.07 / А. В. Стерхова, 2001. - 24 с. - Текст : непосредственный.Недорезов В.Г. Исследование процессов формирования структуры и электрических свойств керметных толстых пленок и оптимизация технологических режимов их изготовления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. Г. Недорезов, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Врублевский Л.Е. Разработка конструкций и технологии промышленного производства бетэловых резисторов для высоковольтного аппаратостроения : Дис. на соискание ученой степени д-ра техн. наук в форме науч. докл.: 05.09.06 / Л. Е. Врублевский, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный.Красавина М.А. Разработка технологии ультразвуковой металлизации оксидноцинковых варисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.17.11 / М. А. Красавина, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мухатаев Н.А. Исследование технологического процесса трафаретной печати при изготовлении толстопленочных резисторов, применяемых в приборостроении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.11.14 / Н. А. Мухатаев, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Цеханович О.М. Разработка и исследование композиционных материалов с использованием отходов производства резисторов серии СПЗ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.02 / О. М. Цеханович, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Воблый А.Н. Разработка и исследование моделей основных технологических операций изготовления толстопленочных резистивных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.13 / А. Н. Воблый, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Вахидова Г.С. Влияние изменений структуры толстопленочных рутениевых резистивных композиций на их электрические свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.07 / Г. С. Вахидова, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гарагашов А.А. Особенности формирования пьезорезистивного и варисторного эффектов в композиционной системе полимер-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. А. Гарагашов, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Тельников Е.Я. Электрофизические свойства резистивных толстых пленок на основе гексаборидов бария и лантана : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 04.04.07 / Е. Я. Тельников, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Примович М.А. Технология молибденсодержащих паст и толстопленочных резисторов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / М. А. Примович, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Паршин В.А. Разработка технологии прецизионных тонкопленочных резисторов для трехмерных гибридных микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Паршин, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМанчук Р.В. Феноменалогические основы технологии энергетических резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.14.02, 05.23.05 / Р. В. Манчук, 2000. - 42 с. - Текст : непосредственный.Врублевский Л.Е. Разработка конструкций и технологии промышленного производства бетэловых резисторов для высоковольтного аппаратостроения : Дис. на соискание ученой степени д-ра техн. наук в форме науч. докл.: 05.09.06 / Л. Е. Врублевский, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный.Горшков К.В. Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / К. В. Горшков, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный.Розанов Р.Ю. Исследование мемристорного эффекта в тонких пленках хлоридов меди и хрома : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Р. Ю. Розанов, 2017. - 27 с.Теплов Г.С. Разработка модели искусственного нейрона с динамической функцией активации на базе мемристивных компонентов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Г. С. Теплов, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный.Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бобылев, Андрей Николаевич. Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов : специальность: 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Бобылев Андрей Николаевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Корнеев, Иван Александрович. Колебания и бифуркации в системах с мемристивными элементами : 1.3.4. - Радиофизика : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Корнеев Иван Александрович, 2021. - 20 с. - Текст : непосредственный.Михеев, Виталий Витальевич. Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : 01.04.04 - Физическая электроника : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Михеев Виталий Витальевич, 2021. - 26 с. - Текст : непосредственный.Никируй, Кристина Эрнестовна. Эффект резистивного переключения в нанокомпозитных структурах на основе ниобата лития с гранулами CoFe : 1.3.8. - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Никируй Кристина Эрнестовна, 2022. - 26 с. - Текст : непосредственный.Андреева, Наталья Владимировна. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : 01.04.10 - Физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Андреева Наталья Владимировна, 2022. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мещанинов, Федор Павлович. Исследование физических принципов работы мемристорных структур с разработкой методов компактного моделирования их резистивного переключения : специальность: 2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мещанинов Федор Павлович, 2022. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мацукатова, Анна Никосовна. Эффекты резистивного переключения в структурах на основе поли-п-ксилилена с наночастицами серебра : 1.3.8. - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мацукатова Анна Никосовна, 2022. - 23 с. - Текст : непосредственный.Никонов, Александр Евгеньевич. Электрические свойства нанокомпозитов Co40Fe40B20-LiNbO3 и мемристорных структур на их основе : специальность: 1.3.8. Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Никонов Александр Евгеньевич, 2023. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гисматулин, Андрей Андреевич. Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : 1.3.11 - Физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гисматулин Андрей Андреевич, 2023. - 21 с. - Текст : непосредственный.Будаев, Артем Викторович. Электрофизические свойства мемристоров на основе двухслойного полимерного композита полианилин-поли(винилиденфторид-трифторэтилен) : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Будаев Артем Викторович, 2023. - 27 с. - Текст : непосредственный.Воронковский, Виталий Александрович. Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония : специальность 1.3.11 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Воронковский Виталий Александрович, 2023. - 25 с. - Текст : непосредственный.Исаев, Александр Геннадьевич. Процессы кристаллизации и образования проводящих филаментов в структурах на основе оксида и оксинитрида гафния : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Исаев Александр Геннадьевич, 2025. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽