Приложение
для AndroidПолное описание
Волкова, Е. В. Полупроводниковые диоды : учеб. пособие / Е. В. Волкова, С. В. Оболенский ; Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. Нац. исслед. ун-т. - Н. Новгород : Изд-во Нижегор. госун-та, 2014. - 108 с. : ил. - Библиогр.: с. 108 (8 назв.). - 200 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2 |
Рубрики:
Диоды полупроводниковые
Доп. точки доступа:
Оболенский, С.В.
Нижегородский гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. Нац. исслед. ун-т
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Физико-химические методы анализа : Межвуз.сб. / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1993. - 80 c. - Текст : непосредственный.Прикладные проблемы прочности и пластичности. Методы решения : Межвуз.сб. / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1992. - 136 c. - Текст : непосредственный.Динамика систем : Динамика и оптимизация: Межвуз. сб. науч. тр / Нижегор. гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского, 1992. - 185 c. - Текст : непосредственный.Прикладные проблемы теории колебаний : Межвуз.сб.науч.тр. / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1993. - 233 c. - Текст : непосредственный.Стратегия реорганизации крупных предприятий : Монография / Нижегор.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1993. - 136 c. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование в образовании : Программные средства:Межвуз.сб.науч.тр. / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1993. - 170 c. - Текст : непосредственный.Эффективность и интенсификация в условиях рыночной экономики : Сб.науч.материалов / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1993. - 158 c. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование и оптимальное управление : Межвуз. сб. науч. тр. / Нижегород. гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского, 1994. - 193 c. - Текст : непосредственный.Совершенствование организации производства и управления в переходный период : Межвуз. сб. / Нижегород. гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского, 1993. - 183 c. - Текст : непосредственный.Материалы,процессы и технологии электронной техники : Вестник Нижегор.гос.ун-та им.Н.И.Лобачевского / Нижегородский гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского, 1994. - 256 c. - Текст : непосредственный.Прикладные проблемы прочности и пластичности : Межвуз.сб. / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского. Вып. 51 : Анализ и оптимизация конструкций, 1995. - 147 с. - Текст : непосредственный.Динамика систем : Межвуз. сб. науч. тр. / Нижегор. гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского, 1995. - 154 c. - Текст : непосредственный.Экологический мониторинг : Методы биомониторнига: Учеб. пособие:В 2-х ч. / Нижегор. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского; под ред. Д. Б. Гелашвили. Ч. 1, 1995. - 190 с. - Текст : непосредственный.Вестник Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского : Сб.науч.тр.аспирантов / Нижегородский гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского, 1995. - 144 c. - Текст : непосредственный.Фундаментальные и прикладные проблемы механики деформируемых сред и конструкций : Программа Гос. ком. РФ по высш. образованию: Науч. тр. / Нижегородский гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. Ростов. гос. ун-т. Вып. 2, 1995. - 211 с. - Текст : непосредственный.Вопросы аппроксимации в комплексных областях : Межвуз.сб. / Нижегор.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского, 1992. - 79 c. - Текст : непосредственный.Прикладные проблемы прочности и пластичности : Межвуз.сб. / Нижегород.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского. Вып. 53, 1995. - 212 с. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование в образовании. Программные средства : Межвуз.сб.науч.тр. / Нижегор.гос.ун-т им.Н.И.Лобачевского. 2, 1994. - 166 с. - Текст : непосредственный.Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов : Тез. докл. конф., 12-14 марта 1996 г / Нижегородский гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского, 1996. - 176 c. - Текст : непосредственный.Прикладные проблемы прочности и пластичности : Межвуз. сб. / Нижегор. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. Вып. 52 : Численное моделирование физико-механических процессов : Межвуз.сб. / Редкол.:В.Г.Баженов и др, 1995. - 188 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыEranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 59, 1992. - 109,B1-D18 p. p. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А.М.Минарский,П.Б.Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Поперечная устойчивость и неоднородная динамика быстрых ударно-ионизационных волн в диодных структурах / А.М.Минарский,П.Б.Родин, 1995. - 40 c. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные диоды: физика, технология, применение / А.К.Шухостанов, 1997. - 208 с. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Физические основы радиоэлектроники. Полупроводниковые диоды : Учеб. пособие по курсу "Элемент. база радиоэлектроники" / М.Д.Воробьев;Под ред.А.А.Жигарева, 1992. - 80 с. - Текст : непосредственный.Ким Ун Се.Стабильность термометрических характеристик полупроводниковых диодов при криогенной температуре / Ким Ун Се,В.И.Дацков, 1991. - 8 с. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А.А.Ровдо, 2000. - 286 с. - Текст : непосредственный.Бабаян Р.Р. Диодно-резистивные структуры на основе аморфных металлических пленок : Препринт / Р.Р.Бабаян,В.П.Морозов, 2001. - 29 с. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.1, 1990. - 1059 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.2, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Report series / Univ. of Auckland. Dep.of mathematics . 537 : Dirichlet-to Neumann techniques for the plazma-waves in a slot-diod / A.B.Mikhailova, B.S.Pavlov, V.I.Ryzhii, 2005. - 27 p. - Текст : непосредственный.Волкова Е.В. Полупроводниковые диоды : учеб. пособие / Е. В. Волкова, С. В. Оболенский, 2014. - 108 с.Ионычев В.К. Механизмы формирования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов : монография / В. К. Ионычев, 2017. - 99 с.Девонисский В.Ю. Из опыта применения германиевых диодов / В. Ю. Девонисский, 1959. - 32, [3] с. - Текст : непосредственный.Никифоров, Игорь Кронидович. Радиоэлектронная и силовая электронная аппаратура. Диодные и тиристорные структуры, их применение : учебное пособие / И. К. Никифоров, 2021. - 683 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Никитин, Юрий Александрович. Электроника и схемотехника. Полупроводниковые диоды : учебное пособие / Ю. А. Никитин, В. А. Юрова, 2022. - 69 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыЮневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Карфул Ризек.Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Карфул Ризек, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шур М.С. Исследование электрических доменов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.02 / М. С. Шур, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Дроздовский Н.В. Нелинейные свойства и электронный гистерезис твердотельных СВЧ-структур и их применение в переключателях и ограничителях мощности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. В. Дроздовский, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Нам Чанг Сон.Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Нам Чанг Сон, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Тарнавский С.П. Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. П. Тарнавский, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Подчищаева О.В. Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна мм-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. В. Подчищаева, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карташова О.А. Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / О. А. Карташова, 1994. - 15 с.950405. - Текст : непосредственный.Шухостанов А.К. Исследование конструктивно-технологических методов создания и разработка мощных высокоэффективных надежных кремниевых лавинно-пролетных диодов миллиметрового диапазона : Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук (в форме науч. докл.): 05.27.01 / А. К. Шухостанов, 1995. - 57 с. - Текст : непосредственный.Сушанский В.В. Разработка СВЧ диода с заданной нелинейностью вольт-амперной характеристики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Сушанский, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.Малинин Ю.Г. Механизм токопрохождения и фотоЭДС диодов Шоттки на основе арсенида индия и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ю. Г. Малинин, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дроздовская Л.М. Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных PIN-диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / Л. М. Дроздовская, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Малеев Н.А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидгаллиевых микроструктур с барьером Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. А. Малеев, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный.Милюткин Е.А. Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. А. Милюткин, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽