Приложение
для AndroidПолное описание
Бирюлин, П. И. Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / П. И. Бирюлин. - М. : [б. и.], 1999. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 21-22
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9-022.532(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНайденков М.Н. Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Н. Найденков, 1997. - 23 с. - Текст : непосредственный.Устинов В.М. Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.:01.04.10 / В. М. Устинов, 1998. - 39 с. - Текст : непосредственный.Парбуков А.Н. Исследование свойств наноструктурированного пористого кремния и применение его в технологии микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Н. Парбуков, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бирюлин П.И. Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / П. И. Бирюлин, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный.Иванов С.В. Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А В (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Иванов, 2000. - 40 с. - Текст : непосредственный.Павликов А.В. Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Павликов, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.Кудряшов В.Е. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. Е. Кудряшов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Казанцева И.А. Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / И. А. Казанцева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шоболов Е.Л. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In Ga As : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Е. Л. Шоболов, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Минцев А.В. Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Минцев, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Драка О.Е. Гетероструктуры InSb1-xBix/InSb и GaSb1-xBix/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / О. Е. Драка, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Драка О.Е. Гетероструктуры InSb Bi /InSb и GaSb Bi /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / О. Е. Драка, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный.Wang J. Intrinsic dynamics of low-dimensional semiconductor quantum-well, wire and box lasers : Diss. / J.Wang, 1997. - VII,170 p. p. - Текст : непосредственный.Квантовые точки I и II типа : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Евстифеев В.В. Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. В. Евстифеев, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.Электронный транспорт в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/InyGa1-yAs/GaAs : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.01.09 / И. С. Василевский, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. В. Иконников, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / И. Д. Рухленко, 2006. - 20 с. - Текст : непосредственный.Гетероструктуры c Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / М. В. Шалеев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7167 : Co-tunneling current and shot noise in molecules and quantum dots : Diss. / A.Thielmann, 2005. - 138 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽