Приложение
для AndroidПолное описание
Якименко, А. Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Н. Якименко. - СПб. : [б. и.], 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 13-16 (26 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382.2-047.84(043) | |
| 621.315.592.9-047.84(043) |
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые диоды -- структуры металл-диэлектрик-полупроводник -- производство -- инженерия радиационных дефектов
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лабутин О.А. Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гидридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Лабутин, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Залевский И.Д. Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.06 / И. Д. Залевский, 1999. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лагов П.Б. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / П. Б. Лагов, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Марков К.А. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. А. Марков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Боженов А.В. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Боженов, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Косарев А.М. Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. М. Косарев, 2004. - 34 c. - Текст : непосредственный.Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. Ю. Андреев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Р. В. Рыжук, 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный.Совершенствование технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии на основе программного комплекса : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.113.01 / Д. Е. Арбенин, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Кузубов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. И. Дусь, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs методом мосгидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 05.27.06 / Н. Т. Вагапова, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Новиков В.А. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мустафаев А.Г. Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки : автореф. дис. .. д-ра техн. наук : 05.27.06 / А. Г. Мустафаев, 2011. - 32 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мос-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 05.37.06 / Н. Т. Ваганова, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. С. Васютин, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Денисов, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный.Якименко А.Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Н. Якименко, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽