Приложение
для AndroidПолное описание
Комаров, Б. А. Параметры глубоких центров и их электрополевые зависимости в кремнии и германии по данным емкостной спектроскопии : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. А. Комаров. - Минск : [б. и.], 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :Нац.АН Беларуси. Ин-т физики твердого тела и полупроводников. Библиогр.:с. 14-16(17 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9:535(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКочерешко В.П. Экситонная спектроскопия полупроводниковых квантовых ям и сверхрешеток : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.:01.04.07 / В. П. Кочерешко, 1998. - 106 с. - Текст : непосредственный.Баранов А.В. Спектроскопия вторичного свечения сложных молекул и квази-нульмерных полупроводниковых наноструктур при резонансном двухфотонном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.:01.04.05 / А. В. Баранов, 1998. - 47 с. - Текст : непосредственный.Сучалкин С.Д. Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / С. Д. Сучалкин, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Альперович В.Л. Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Л. Альперович, 1998. - 33 с. - Текст : непосредственный.Крестников И.Л. Оптические свойства гетероструктур (Zn,Cd)Se/(Zn,Mg)(S,Se) с массивами квантовых точек : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. Л. Крестников, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лазаренкова О.Л. Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / О. Л. Лазаренкова, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белогорохова Л.И. Оптические свойства пористых низкоразмерных структур на основе кремния и фосфида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Л. И. Белогорохова, 1999. - 17 с. - Текст : непосредственный.Стецюра С.В. Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Стецюра, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Амбражей А.Н. Фотоэмиссия поляризованных электронов из напряженных полупроводниковых гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.07 / А. Н. Амбражей, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дациев Р.М. Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / Р. М. Дациев, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный.Комаров Б.А. Параметры глубоких центров и их электрополевые зависимости в кремнии и германии по данным емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. А. Комаров, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Козин И.Э. Спектроскопические проявления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых гетероструктурах А В с пониженной размерностью : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук: 01.04.07 / И. Э. Козин, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Муманис Халид.Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук: 01.04.10 / Муманис Халид, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный.Платонов А.В. Экситонная спектроскопия гетероструктур на основе широкозонных II-VI полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / А. В. Платонов, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Ревин Д.Г. Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. фих.-мат.наук: 05.27.01 / Д. Г. Ревин, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.В. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантово-размерных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Соломонов, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный.Фирсов Д.А. Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. А. Фирсов, 2000. - 34 с. - Текст : непосредственный.Динь Шон Тхак.Оптические свойства квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных подложках GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.07:01.04.10 / Динь Шон Тхак, 2000. - 14 с. - Текст : непосредственный.Самойлов В.А. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. А. Самойлов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сахаров А.В. Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов Ш группы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Сахаров, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽