Приложение
для AndroidПолное описание
Гагис, Г. С. Новые полупроводниковые материалы на основе соединений А3В5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм : автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук : 01.04.10 / Г. С. Гагис. - СПб. : [б. и.], 2011. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-18. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.383-03(043) |
Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- полупроводниковые материалы -- пятерные твердые растворы -- люминесцентные характеристики -- жидкофазная эпитаксия
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Сафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКотова О.В. Новые координационные соединения для органических электролюминесцентных устройств : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 02.00.01 / О. В. Котова, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические основы разработки стеклообразных материалов и элементов для фотоники : автореф. дис. .. д-ра хим. наук : 02.00.04 / Д. К. Таганцев, 2010. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тиофенсодержащие кремнийорганические макромолекулярные системы для органической оптоэлектроники : автореф. дис. .. д-ра хим. наук : 02.00.06 / С. А. Пономаренко, 2010. - 47 с. - Текст : непосредственный.Спектроскопия комбинационного рассеяния комплексов с переносом заряда полупроводниковых полимеров : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. В. Бруевич, 2011. - 19 с. - Текст : непосредственный.Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Новые полупроводниковые материалы на основе соединений А3В5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм : автореф. дис. .. канд. фз.-мат. наук : 01.04.10 / Г. С. Гагис, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Получение и исследование новых органических материалов для электролюминесцентных и фотовольтаических устройств : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 02.00.04 / Д. К. Сусарова, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный.Микушев С.В. Трансформация электронных и колебательных состояний нанокристаллов в зонные состояния объемных полупроводниковых материалов группы II-VI : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Микушев, 2010. - 14 с. - Текст : непосредственный.Монодисперсные полимерные частицы с функциональными группами для создания трехмерно-упорядоченных матриц : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 02.00.06 / Б. М. Шабсельс, 2012. - 23 с. - Текст : непосредственный.Исследование молекулярной диффузии в мезогенных системах методами ЯМР-спектроскопии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.17 / А. Б. Конов, 2012. - 23 с. - Текст : непосредственный.Металлополимерный нанокомпозит на основе полипараксилилена и наночастиц серебра для оптоэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.17.06, 05.16.06 / И. А. Богинская, 2012. - 25 с. - Текст : непосредственный.Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед.Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук :01.04.04, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Получение и исследование оптических свойств стекол систем TeO2-MoO3 и TeO2-MO3-Bi2O3 : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 02.00.01 / О. А. Замятин, 2013. - 26 с. - Текст : непосредственный.Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / К. А. Федоров, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Влияние химического состава и дефектов кристаллической решетки на процессы захвата и рекомбинации избыточных носителей тока в полупроводниках AIBVII, AIIBVI, AIBIIICVI : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.17 / К. В. Бочаров, 2013. - 22 с. - Текст : непосредственный.Оптические свойства нанокристаллов германия в пленках оксида германия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Д. В. Марин, 2013. - 19 с.Степанов А.А. Прозрачные наносетчатые алюминиевые пленки с рельефной поверхностью для элементов и устройств оптоэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Степанов, 2012. - 26 с.Научные основы управления свойствами композиционных пленок для электролюминесцентных устройств : автореф. дис. .. д-ра техн. наук : 02.00.21 / М. М. Сычев, 2013. - 40 с.Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Д. Е. Миловзоров, 2014. - 31 с.Природа и структура ряда примесных центров в ZnO по данным высокочастотной спектроскопии ЭПР/ДЭЯР : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. С. Кутьин, 2014. - 24 с.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽