Приложение
для AndroidПолное описание
Попов, А. А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. А. Попов. - М. : [б. и.], 1999. - 28 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 24-28 (31 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592-416.002(043) | |
| 621.383.51.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБрунков П.Н. Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. Н. Брунков, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Субашиева Е.А. Численное моделирование течения и роста AIGаAs/GаAs и InGaP/GaAs слоевв горизонтальном газоэпитаксиальном реакторе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.02.05 / Е. А. Субашиева, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шаламберидзе С.С. Получение пленок карбида бора методом лазерного напыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / С. С. Шаламберидзе, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Манжосов Ю.А. Перекристаллизация пленок кремния в слоистых структурах в условиях наносекундного лазерного воздействия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ю. А. Манжосов, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Карлина Л.Б. Кристаллизация в системе InP-In Ga As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Л. Б. Карлина, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / У. М. Кулиш, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Намазов А.К. Исследование жидкофазной эпитаксии и диффузии примесей из жидкой и газовой фаз для структур солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs и GaSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. К. Намазов, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Попов А.А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. А. Попов, 1999. - 28 с. - Текст : непосредственный.Ардышев М.В. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Ардышев, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Матюшкин И.В. Математическое моделирование технологических процессов на примере автоэпитаксии кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / И. В. Матюшкин, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Коробцов В.В. Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / В. В. Коробцов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Олива Э.В. Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Э. В. Олива, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новиков А.А. Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени Л. / А. А. Новиков, 1990. - 40 с. - Текст : непосредственный.Семягин Б.Р. Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Б. Р. Семягин, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Патаридзе З.Г. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / З. Г. Патаридзе, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Каблуков А.Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.02.13 / А. Л. Каблуков, 2003. - 26 c. - Текст : непосредственный.Хвостиков В.П. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия А В - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. П. Хвостиков, 2003. - 38 с. - Текст : непосредственный.Bergmann R.B. Siliziumschichten auf Siliziumdioxid mittels Flussigphasenepitaxie-Herstellung und Charakterisierung von Schichtsystemen : Diss. / R.B.Bergmann, 1991. - 132 S. - Текст : непосредственный.Grundmann D. UV-stimuliertes Wachstum von III-V-Halbleiterschichten im Niedrigdruck-MOCVD-System : Diss. / D.Grundmann, 1989. - 118 S. - Текст : непосредственный.Strumpler R. In situ Untersuchungen des MBE-und MOMBE-Wachstums von LaF3-und GaAs-Schichten auf Silizium : Diss. / R.Str@:umpler, 1989. - 105 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽