Приложение
для AndroidПолное описание
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника = Optoelectronics and semiconductor technics (Загл. англ.) : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - Киев : Наукова думка, 1982 - . - ISSN 0233-7577. - Текст : непосредственный.
Вып. 45. - 2010. - 144 с. : ил. - Текст рус., укр. Рез. англ. - Библиогр. в конце ст. - 300 экз. - Б. ц.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.383(05) | |
| 621.382(05) |
Рубрики:
Оптоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Доп. точки доступа:
Национальная академия наук Украины(Киев). Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 42, 2007. - 127 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 41, 2006. - 139 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 40, 2005. - 288 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 44, 2009. - 118 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 45, 2010. - 144 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 46, 2011. - 141 с. - Текст : непосредственный.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТехническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство для ультразвукового генератора модели 1400 фирмы "Вест-Бонд" / ВЦП. - 21 c. - Текст : непосредственный.Инструкция по обращению с устройством присоединения проводов способом термокомпрессионной сварки / ВЦП. - 68 c. - Текст : непосредственный.Установка для химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении с использованием вертикального диффузионного реактора / ВЦП. - 16 c. - Текст : непосредственный.Вертикальные диффузионные печи и системы химического осаждения из паровой фазы при низком давлении / ВЦП. - 13 c. - Текст : непосредственный.Установка для плазменного химического осаждения из газовой фазы с плоской рабочей камерой (модель К-1) / ВЦП. - 12 c. - Текст : непосредственный.Установки для получения окисных пленок / ВЦП. - 17 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Frevel D. Untersuchungen im System Kalium-Aluminium-Silizium/Germanium und Aufbau eines LiAlSi-Halbleiterbauelementes : Diss. / D.Frevel, 1992. - 59 S. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 23, 1992. - 93 с. - Текст : непосредственный.Алексеев С.А. Экспериментальная оптика полупроводников : Учеб.пособие для студентов вузов по напр."Оптотехника","Электроника и микроэлектроника" и спец."Опт.приборы и системы","Микроэлектроника и полупровдниковые приборы" / С. А. Алексеев, В. Т. Прокопенко, А. Д. Яськов, 1994. - 248 c. - Текст : непосредственный.High speed heterostructure devices / сост.ed. R. A. Kiehl, сост.ed. T. C.L.G. Sollner, 1994. - XII,454 p. p. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 26, 1993. - 111 с. - Текст : непосредственный.Compound and Josephson high-speed devices / ed. T. Misugi, ed. A. Shibatomi, 1993. - 306 p. - Текст : непосредственный.survey on the femtosecond technology, 1994. - 76 p. - Текст : непосредственный.Веприков В.И. Основы оптоэлектроники : Учеб. пособие / В.И.Веприков,О.Г.Дигун, 1995. - 103 c. - Текст : непосредственный.Валиев К.А. Физика полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники : Учеб. пособие / К.А.Валиев,А.А.Кокин, 1995. - 111 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛазерная и оптико-электронная техника : Межвуз.сб.науч.тр. / Белорус.гос.ун-т. Вып. 2, 1992. - 247 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 23, 1992. - 93 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 26, 1993. - 111 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 28, 1995. - 101 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед.сб.науч.тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 29, 1995. - 115 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 30, 1995. - 155 с. - Текст : непосредственный.Твердотельная электроника : Сб. ст. / Ульяновский гос. ун-т. 1, 1996. - 174 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 27, 1994. - 121 с. - Текст : непосредственный.Материалы и приборы нового поколоения оптоэлектроники и сенсорики : Сб.ст. / Редкол.:Ю.М.Таиров и др, 1997. - 104 с. - Текст : непосредственный.Радиотехнические и телевизионные приборы и устройства. Элементы СВЧ и оптоэлектронных устройств : Сб. науч. тр. Вып. 1, 1997. - 207 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 33, 1998. - 218 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 34, 1999. - 194 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 18, 1990. - 105 с. - Текст : непосредственный.Фотоэлектроника : Респ. межвед. науч. сб. / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова. Вып. 4, 1991. - 120 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 19 / ред. С. В. Свечников, 1991. - 92 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 21 / ред. С. В. Свечников, 1991. - 96 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 15, 1989. - 97 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 16, 1989. - 94 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 17, 1990. - 94 c. - Текст : непосредственный.Фотоэлектроника : Респ.межвед.науч.сб. / Одес.гос.ун-т им.И.И.Мечникова. Вып. 3, 1990. - 143 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽