Приложение
для AndroidПолное описание
Мажорова, О. С. Разработка, исследование и применение вычислительных алгоритмов в задачах полупроводниковой технологии : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.13.16 / О. С. Мажорова. - М. : [б. и.], 1999. - 29 с. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 26-29(26 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.002(043) | |
| 621.315.592.9.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыСафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев М.Д. Исследование дефектообразования в термообработанном и легированном никелем кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. Д. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Тигишвили М.Г. Характеристики радиационных дефектов в GaAs,возникающих в результате имплантации селена : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Г. Тигишвили, 1992. - 19 с. - Текст : непосредственный.Жмакин А.И. Численное моделирование гидродинамических процессов при выращивании полупроводниковых структур методами газофазной и жидкофазной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.02.05 / А. И. Жмакин, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Ковешников С.В. Влияние собственных точечных дефектов и водорода на свойства приповерхностных слоев полупроводников в условиях ионно-плазменной обработки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / С. В. Ковешников, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пак Чер.Исследование влияния редкоземельной примеси на процесс эпитаксиального роста и свойства эпитаксиальных слоев GaSb и GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Пак Чер, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Казаков А.И. Исследование устойчивости технологических процессов микроэлектроники и многокомпонентных полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / А. И. Казаков, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Курбакова Н.К. Взаимосвязь между условиями синтеза,нестехиометрией и свойствами полупроводникового теллурида кадмия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Н. К. Курбакова, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Чу Чор.Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка,индия) в твердых растворах теллурида свинца-теллурида олова : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Чу Чор, 1992. - 14 с. - Текст : непосредственный.Калягин М.А. Взаимодействие эрозионной лазерной плазмы с поверхностью кристаллов:модификация Si и формирование пленок YBa Cu O : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. А. Калягин, 1992. - 13 с. - Текст : непосредственный.Эм А.С. Особенности динамики нагрева и моделирования процесса наносекундного импульсного лазерного облучения полупроводников в режимах развитого плавления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. С. Эм, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Лозовский А.Д. Термодесорбция газов с модифицированных поверхностей кремния,подвергнутых воздействию паров воды : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.17 / А. Д. Лозовский, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Тийс С.А. Поведение никеля на атомарно-чистых поверхностях кремния и индуцируемые им структуры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / С. А. Тийс, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков Е.Б. Формирование сульфидного пассивирующего покрытия на поверхности полупроводников А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.:01.04.10 / Е. Б. Новиков, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ишкалов Ж.Т. Исследование влияния парарметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si,Ge и расплавов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ж. Т. Ишкалов, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Макарова Т.Л. Эллипсометрическая диагностика структур полупроводник-окисел : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Т. Л. Макарова, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽