Приложение
для AndroidПолное описание
Завьялов, Д. В. Кинетические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в сильных внешних полях : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / Д. В. Завьялов. - Волгоград : [б. и.], 2010. - 29 с. - Библиогр.: с. 26-29 (32 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09 | 621.384-022.532-03(043) |
Аннотация: Исследование транспортных и оптических свойств полупроводниковых сверхрешеток, квантового цилиндра (квантовой нити) и графена в условиях воздействия сильных (не сводящихся к возмущениям) электромагнитных полей.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Выращивание сверхпроводящих тонких пленок оксида висмут-стронций-кальций-медь методом химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений / ВЦП. - 8 с. - Текст : непосредственный.Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сверхпроводящие Bi-Sr-Ca-Cu-O тонкие пленки,выращенные химическим осаждением из газовой фазы металлоорганических соединений при различных температурах / ВЦП. - 9 с. - Текст : непосредственный.Получение Bi-Ca-Sr-Cu-O сверхпроводящих пленок методом CVD / ВЦП. - 9 с. - Текст : непосредственный.Джозефсоновский ток в микромостиках YBa Cu O -тонких пленок, полученных CVD / ВЦП НР. - 13 с. - Текст : непосредственный.Материалы для микролитографии. Радиационно-чувствительные полимеры. Симпозиум ACS-серия 266 / ВЦП. - 110 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Протекание процесса спекания керамики и межзеренные границы / Ин-т сверхтвердых материалов. - 31 c.:ил. - Текст : непосредственный.Электронная керамика / ВЦП. - 27 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Сетченков М.С. Экспериментальные исследования фотоиндуцированных изменений магнитной анизотропии и доменной структуры в иттрий-железистых гранатах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. С. Сетченков, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Вафин А.Э. Магнитные свойства бинарных сплавов и соединений легких РЗМ с железом,кобальтом и никелем при высоких температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. Э. Вафин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Попов А.Г. Структура и особенности формирования магнитных гистерезисных свойств сплавов самарий-кобальт-железо-медь-цирконий для постоянных магнитов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.11 / А. Г. Попов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Подливаев А.И. Расчет характеристик радиационных дефектов в перспективных сверхпроводящих материалах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. И. Подливаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дубков В.П. Зона локализованных состояний в сплавах Pb -Sn Se,облученных электронами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / В. П. Дубков, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКинетические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в сильных внешних полях : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / Д. В. Завьялов, 2010. - 29 с. - Текст : непосредственный.Энергетический спектр электронов поверхности оксидов переходных элементов с диэлектрическим покрытием : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / М. В. Петров, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Оксиды переходных металлов и управляемые туннельные переходы на их основе для создания устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / М. С. Иванов, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Шунаев В.В. Электронные свойства и энергетические параметры модифицированных графен-фуллереновых комплексов с позиции применения в наноэлектронике : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / В. В. Шунаев, 2016. - 20 с.Буряков А.М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. М. Буряков, 2017. - 25 с.Чибисов, Андрей Николаевич. Теоретические исследования влияния дефектов на электронные и структурные свойства кислородсодержащих наноразмерных материалов : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Чибисов Андрей Николаевич, 2020. - 33 с. - Текст : непосредственный.Чжо Зин Пьо.Формирование пленок дисульфида молибдена для электроники методом магнетронного распыления стехиометрических мишеней : 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Чжо Зин Пьо, 2021. - 16 с. - Текст : непосредственный.Труфанова, Маргарита Константиновна. Получение наноструктур галлия и теллура методом термического испарения : специальность 2.2.3. Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Труфанова Маргарита Константиновна, 2025. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽