Приложение
для AndroidПолное описание
Кузубов, С. В. Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Кузубов. - Воронеж : [б. и.], 2010. - 16 с. : ил. - 14-16 (21 назв.)Библиогр.: с. . - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592.9-047.84(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Мынбаев К.Д. Диффузионное и ионно-лучевое легирование Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Мынбаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Тысченко И.Е. Высокотемпературная ионная имплантация в кремний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физико-мат.наук:01.04.10 / И. Е. Тысченко, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Хаки Исмаиль Хаки Тахер.Воздействие радиационных дефектов на диффузию фосфора в имплантированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Хаки Исмаиль Хаки Тахер, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Белых Т.А. Особенности дефектообразования при имплантации ионов повышенной энергии в твердые тела : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Т. А. Белых, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.05 / С. П. Авдеев, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Чернова Н.А. Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Н. А. Чернова, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щербакова Е.Н. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках тугоплавких металлов и системах металл-полупроводник при обработке плазмой активных газов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. Н. Щербакова, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный.Барабаненков М.Ю. Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:05.27.01 / М. Ю. Барабаненков, 2001. - 46 с. - Текст : непосредственный.Гумаров Г.Г. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Г. Г. Гумаров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Джабраилов Т.А. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Т. А. Джабраилов, 2001. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ефимов А.А. Технология и оборудование для ионно-вакуумной модификации поверхностных слоев полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.11.14 / А. А. Ефимов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Изюмов М.О. Исследование процессов травления диоксида кремния, кремния, полимерных пленок в химически активной плотной плазме ВЧ индукционного разряда низкого давления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.27.01 / М. О. Изюмов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стук А.А. Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.05 / А. А. Стук, 2000. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кабышев А.В. Ионно-термическая модификация неорганических диэлектриков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / А. В. Кабышев, 2001. - 42 с. - Текст : непосредственный.Лысенко Л.Н. Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Л. Н. Лысенко, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Терентьев С.А. Разработка низкоэнергетического СВЧ вакуумно-плазменного травления структур микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.09.10,05.27.01 / С. А. Терентьев, 2002. - 16 c. - Текст : непосредственный.Бердников А.Е. Разработка и исследование технологии высокоскоростного осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов в плазме низкочастотного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. Е. Бердников, 2001. - 38 с. - Текст : непосредственный.Волкова С.М. Получение молекулярных пленок на основе тетракис-хелатных комплексов и аддуктов редкоземельных элементов и исследование их свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / С. М. Волкова, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Грушевский А.М. Монтаж многокристальных модулей на гибких полиимидных носителях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. М. Грушевский, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лабутин О.А. Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гидридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Лабутин, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Залевский И.Д. Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.06 / И. Д. Залевский, 1999. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лагов П.Б. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / П. Б. Лагов, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Марков К.А. Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. А. Марков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Боженов А.В. Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Боженов, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Косарев А.М. Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. М. Косарев, 2004. - 34 c. - Текст : непосредственный.Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. Ю. Андреев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Совершенствование технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии на основе программного комплекса : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.11.01 / Д. Е. Арбенин, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Кузубов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. И. Дусь, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs методом мосгидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 05.27.06 / Н. Т. Вагапова, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Новиков В.А. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мустафаев А.Г. Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки : автореф. дис. .. д-ра техн. наук : 05.27.06 / А. Г. Мустафаев, 2011. - 32 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мос-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук : 05.37.06 / Н. Т. Ваганова, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. С. Васютин, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Денисов, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный.Якименко А.Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Н. Якименко, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Д. В. Юрасов, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кострюков В.Ф. Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия : автореф. дис. .. д-ра хим. наук : 02.00.01 / В. Ф. Кострюков, 2011. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽