Приложение
для AndroidПолное описание
Гиндин, П. Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.11.14 / П. Д. Гиндин. - М. : [б. и.], 2010. - 43 с. : ил. - Библиогр.: с. 37-43 (71 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 81.37.13 | 681.7.02(043) | |
| 47.13.11 | 621.3.049.76.002(043) | |
| 47.33 | 621.383.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПрокофьев А.Е. Градиентные оптические элементы с аксиальным распределением показателя преломления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Прокофьев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Леонов Ю.С. Взаимодействие наносекундных потоков энергии из высокотемпературной плазмы с материалами микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10 / Ю. С. Леонов, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Гейдт В.В. Локальное восстановление неламбертовых оптических поверхностей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.13.16 / В. В. Гейдт, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Архипов С.А. Применение суперэлементной техники для исследования деформаций оптических деталей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.02.04 / С. А. Архипов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бакланов М.Р. Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si,Ge и SiO : Дис..д-ра хим.наук в форме науч.докл:02.00.04 / М. Р. Бакланов, 1991. - 47 с. - Текст : непосредственный.Марчук С.М. Исследование осесимметричных асферических оптических поверхностей с особыми свойствами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / С. М. Марчук, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нечипорук Б.Д. Эффекты структурного разупорядочения в спектрах комбинационного рассеяния света кристаллического и аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. Д. Нечипорук, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Трифонов Е.Е. Технология изготовления несферических поверхностей с использованием эвольвентных построений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / Е. Е. Трифонов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Климович Ф.Ф. Оптимизация финишной обработки сферических поверхностей оптических деталей с использованием математической модели : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.03.01 / Ф. Ф. Климович, 1992. - 19 с. - Текст : непосредственный.Филин С.А. Технология высокоэффективной очистки твердотельных микроэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / С. А. Филин, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Чапланов А.М. Стационарный и импульсный отжиг тонких пленок : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / А. М. Чапланов, 1992. - 32 с. - Текст : непосредственный.Казаков А.И. Исследование устойчивости технологических процессов микроэлектроники и многокомпонентных полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / А. И. Казаков, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Медведев Б.К. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AlGaAs для приборов микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10:05.27.01 / Б. К. Медведев, 1992. - 81 с. - Текст : непосредственный.Слепцов В.В. Анизотропные, низкотемпературные, вакуумные, ионно-стимулированные процессы, оборудование и технология для производства ИЭТ, оптики и приборостроения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / В. В. Слепцов, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Буравлев А.В. Стимулированная точечными дефектами твердофазная эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния и перестройка дефектов в ионно-имплантированных слоях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Буравлев, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Миррахматов С.Ш. Повышение механической устойчивости структурно-неоднородных паяных соединений элементов микроэлектронных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. Ш. Миррахматов, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Фомичев П.А. Лазерная технология формирования микрооптических элементов методом денсификации пористых стекол : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.03 / П. А. Фомичев, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сахарова Т.В. Формирование гетероструктур InAs Sb B1 /InSb методом жидкофазной эпитаксии для фотоприемных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Т. В. Сахарова, 1994. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты