Приложение
для AndroidПолное описание
Materials science forum : сборник. - Stafa-Zuerich : Trans tech publ., 19 - . - ISSN 0255-5476. - Текст : непосредственный.
Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess. - 2008. - XVI, 432 p. : ill. - Библиогр. в конце ст. Указ.: с. 429-432. - ISBN 978-0-87849-391-3 : 9966.00 р.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592-047.84(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Термическая обработка -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Lerch, W.\ed.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ПНТ (1), (1)
Свободны: ПНТ (1), (1)
Копия:
Recrystallization'92 : Intern.conf.on recrystallization and related phenomena,San Sebastian,Aug.31-Sept.4,1992, 1993. - 724 p. - Текст : непосредственный.Growth and characterization of acoustico-optic materials / ed. N. B. Singh, ed. D. J. Todd, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Shallow impurities in semiconductors : Proc. of the 4 intern. conf. on shallow impurities in semiconductors, London, 31 July-2 Aug.1990 / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Halide glasses VI : Proc.of the 6th intern. symp. on.., Oct.1-5, 1989, Clausthal / ed. G. H. Frischat, ed. C. T. Moynihan, 1991. - 626 p. - Текст : непосредственный.Materials science for high technologies : Proc.of the Intern.symp.,held in Dresden,Apr.24-27,1990 / Ed.:J.Barthel et al. Pt. 1, 1990. - 406 p. - Текст : непосредственный.Materials science for high technologies : Proc.of the Intern.symp.,held in Dresden,Apr.24-27,1990 / Ed.:J.Barthel et al. Pt. 2, 1990. - 822 p. - Текст : непосредственный.Nuclear fuel fabrication : Proc.of a symp. on nuclear fuel fabrication, Bombay, Dec.12-14, 1988 / Ed. C. Ganguly, 1989. - IX,438 p. p. - Текст : непосредственный.Preparation and properties of silicon nitride based materials / ed. D. A. Bonnell, ed. T. Y. Tien, 1989. - VII,307 p. p. - Текст : непосредственный.Electrochemistry of conductive polymers : Proc.of the 2 Intern. school, Sulejow, Sept.10-16, 1988 / Ed.: J. Plocharski, S. Roth, 1989. - 243 p. - Текст : непосредственный.reactive element effect on high temperature oxidation - after fifty years / ed. W. E. King, 1989. - VIII,362 p. p. - Текст : непосредственный. Electrochemical methods in corrosion research : Proc. of the 3 Intern. symp., Z@:urich, July 12-15,1988 / Ed. B. Elsener, 1989. - XI,476 p. p. - Текст : непосредственный.Grain boundary chemistry and intergranular fracture / ed. G. S. Was, ed. S. M. Bruemmer, 1989. - V,358 p. p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Pt. 1, 1990. - 392 p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Pt. 2, 1990. - 393-778 p. p. - Текст : непосредственный.Properties and characterization of amorphous carbon films / ed. J. J. Pouch, ed. S. A. Alterovitz, 1990. - 701 p. - Текст : непосредственный.Synthesis and properties of boron nitride / ed. J. J. Pouch, ed. S. A. Alterovitz, 1990. - 415 p. - Текст : непосредственный.Dynamical processes in disordered systems / ed. W. M. Yen, 1989. - 243 p. - Текст : непосредственный.Metallic multilayers : Lectures presented to the summer school 2 "Multicouches metalliques", Aussois, Sept. 1989 / Ed.: A. Chamberod, J. Hillairet, 1990. - 627 p. - Текст : непосредственный.Materials processing in space : Proc. of an Intern. meet. on materials processing in space, in Chicago(Il), 24-30 Sept. 1988 / Ed. N. B. Singh, 1989. - 217 p. - Текст : непосредственный.Progress in powder metallurgy. Pt. 1 : Proceedings of the 2006 Powder metallurgy world congress & exhibition (PM 2006), held in Busan exhibition & Convention Center (BEXCO), Busan, Korea, Sept. 24-28, 2006 / Powder metallurgy world congress & exhibition (PM 2006) (2006; Busan), 2007. - XXXIV, 848 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыХимическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыMaterials science forum. Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess, 2008. - XVI, 432 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 145-146 : Ultra clean processing of semiconductor surfaces IX : 9th Intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS) held in Bruges, Belgium, Sept. 22-24, 2008 / International symposium on ultra clean processind of semiconductor surfaces (UCPSS) (9th; 2008; Bruges), 2009. - XVI, 400 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 131-133 : Gettering and defect engineering in semiconductor technology XII-GADEST 2007 : proc. of the 12th Intern. autumn meet. EMFCSC, Erice, Italy, Oct. 14-19, 2007 / International autumn meeting "Gettering and defect engineering in semiconductor technology-GADEST 2007" (12th; 2007; Erice), 2008. - XV, 642 p. - Текст : непосредственный.Ultra clean processing of semiconductor surfaces X : the 10th intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS 2010), was held in Oostende, Belgium, on Sept. 20-22, 2010 / International symposium on ultra clean processing of semiconductor surfaces (10; 2010; Oostende), 2012 r=on-line.
Заказ фрагмента документа ₽