Приложение
для AndroidПолное описание
Крюкова, И. В. Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками / И. В. Крюкова. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009. - 444 с. : ил. - Библиогр.: с. 440-444 (66 назв.). - 300 экз. - ISBN 978-5-7038-3251-6 () : Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.33.03 | 621.373.826.038.825.5 |
Рубрики:
Лазеры полупроводниковые -- Физика
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Тер-Габриэлян Н.Э. Индуцированное излучение рассеивающих сред,активированных неодимом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.21 / Н. Э. Тер-Габриэлян , 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шматов М.Л. Кооперативные эффекты при взаимодействии электромагнитного излучения с атомарными системами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.02 / М. Л. Шматов, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Рахманов А.Н. Моделирование двухкомпонентной автоволновой среды оптическими системами c пространственно-временными модуляторами света на основе структур полупроводник-ЖК : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.21 / А. Н. Рахманов, 1993. - 23 с. - Текст : непосредственный.Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками / И. В. Крюкова, 2009. - 444 с. - Текст : непосредственный.Кинетическая теория вакуумного рождения частиц в лазерной физике и физике высоких энергий : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21, 01.04.02 / А. В. Прозоркевич, 2010. - 38 с. - Текст : непосредственный.Grossmann F. Theoretical femtosecond physics : atoms and molecules in strong laser fields / F. Grossmann, 2008 r=on-line.Экспериментальное и расчетно-теоретическое исследование физических процессов в лазерных системах на парах меди с целью улучшения удельных выходных характеристик : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / М. М. Маликов, 2011. - 45 с. - Текст : непосредственный.Svelto O. Principles of lasers / O. Svelto, 2010 r=on-line.
Mroziewicz B. Physics of semiconductor lasers / B.Mroziewicz,M.Bugajski,W.Nakwaski;Transl. from pol. by J.Krauze, 1991. - 473 p. - Текст : непосредственный.Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками / И. В. Крюкова, 2009. - 444 с. - Текст : непосредственный.
Жигулин С.Н. Исследование инжекционных квантоворазмерных лазеров в системе InGaAsP/GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Н. Жигулин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Айдаралиев М.Ш. Инжекционные лазеры в области 3-4 МКМ на основе твердых растворов JnAsSbP и JnGaAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. Ш. Айдаралиев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шидловский В.Р. Исследование низкочастотных флуктуаций мощности инжекционных лазеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.21 / В. Р. Шидловский, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Перепелица В.В. Фазированные решетки полупроводниковых лазеров для систем оптической обработки информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.21 / В. В. Перепелица, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рафаилов Э.У. Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP ( =1.3 МКМ) и InGaAsP/GaAs ( =0.8 МКМ) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Э. У. Рафаилов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Фуксман М.В. Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( =О,8мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Фуксман, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Капанадзе З.Б. Получение и исследование эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов индий-галлий-мышьяк-сурьма для инжекционных лазеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / З. Б. Капанадзе, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Мамаев А.Н. Взаимодействие волн в активной среде полупроводникового лазера при инжекции внешнего излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.21 / А. Н. Мамаев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Коган А.С. Расслоения и пульсации в широкоапертурных полупроводниковых оптически бистабильных интерферометрах и инжекционных лазерах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. С. Коган, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Даварашвили О.И. Исследование полупроводниковых твердых растворов соединений А В и создание инфракрасных лазеров на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / О. И. Даварашвили, 1993. - 31 с. - Текст : непосредственный.Ильин Ю.В. Разработка и исследование излучательных характеристик мощных одномодовых InGaAsP/InP лазеров раздельного ограничения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. В. Ильин, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Беришев И.Э. Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых зарощенных InGaAsP/InP лазеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Э. Беришев, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Зверев М.М. Импульсные многоэлементные полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.21 / М. М. Зверев, 1993. - 36 с. - Текст : непосредственный.Аврутин Е.А. Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. А. Аврутин, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Зайцев С.В. Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InGaAsP/InP ( =1.3мкм) лазеров раздельного ограничения,выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Зайцев, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Файзуллаев А.Ш. Исследование излучательных и ресурсных характеристик гетеролазеров на основе варизонных структур Ga In As P/In P : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. Ш. Файзуллаев, 1993. - 13 с. - Текст : непосредственный.Горбачев А.Ю. Мощные одномодовые InGaAsP лазеры раздельного ограничения. Разработка и исследование излучательных характеристик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. Ю. Горбачев, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Моисеев К.Д. Создание и исследование инфракрасных источников света на основе гетероструктур твердых растворов арсенида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Моисеев, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фокин Г.А. Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. А. Фокин, 1994. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ржанов А.Г. Моделирование процессов в многоэлементных фазированных инжекционных лазерах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.03 / А. Г. Ржанов, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽