Приложение
для AndroidПолное описание
Ефремов, М. Д. Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Д. Ефремов. - Новосибирск : [б. и.], 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :Рос.АН. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников.Библиогр.:с.16(10 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЖмакин А.И. Численное моделирование гидродинамических процессов при выращивании полупроводниковых структур методами газофазной и жидкофазной эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.02.05 / А. И. Жмакин, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Пак Чер.Исследование влияния редкоземельной примеси на процесс эпитаксиального роста и свойства эпитаксиальных слоев GaSb и GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Пак Чер, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Тийс С.А. Поведение никеля на атомарно-чистых поверхностях кремния и индуцируемые им структуры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / С. А. Тийс, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Макарова Т.Л. Эллипсометрическая диагностика структур полупроводник-окисел : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Т. Л. Макарова, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Агапов Б.Л. Физико-химические основы формирования гетероструктур со слоями соединений A B : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Б. Л. Агапов, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Марков В.А. Формирование поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии германия, кремния и их твердых растворов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. А. Марков, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Иошкин В.А. Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевом эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / В. А. Иошкин, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кулиш У.М. Физические аспекты процессов межфазного взаимодействия и роста слоев и структур сложных соединений из конденсированных фаз : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / У. М. Кулиш, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Злотникова И.Я. Теоретическое и экспериментальное исследование процесса термического окисления кремниевых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. Я. Злотникова, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Власукова Л.А. Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.экон.наук:01.04.07 / Л. А. Власукова, 1995. - 15 с.:ил. - Текст : непосредственный.Королев А.Н. Квазихимическое взаимодействие при формировании приповерхностных легированных слоев и кристаллизации пленок в газофазных процессах диффузии и роста : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / А. Н. Королев, 1996. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пчеляков О.П. Формирование пленок и наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / О. П. Пчеляков, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Супрун С.П. Особенности формирования гетерограниц в системах Ge-ZnSe-GaAs и Pt-Si : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. П. Супрун, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рубец В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок теллурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. П. Рубец, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.Суровцев И.С. Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / И. С. Суровцев, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный.Осинский А.В. Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлоорганических соединений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:01.04.10 / А. В. Осинский, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ефремов М.Д. Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Д. Ефремов, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Потапов А.В. Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si Ge /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Потапов, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лепшин П.А. Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / П. А. Лепшин, 1999. - 19 . - Текст : непосредственный.Мажорова О.С. Разработка, исследование и применение вычислительных алгоритмов в задачах полупроводниковой технологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.13.16 / О. С. Мажорова, 1999. - 29 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽