Приложение
для AndroidПолное описание
Твердотельная электроника и микроэлектроника : межвуз. сб. науч. тр. / Воронеж. гос. техн. ун-т. - Воронеж : Воронеж. гос. техн. ун-т, 2008 - . - Текст : непосредственный.
Вып. 7. - 2008. - 166 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - 150 экз. - Б. ц.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382 | |
| 47.33.37 | 621.3.049.76 |
Рубрики:
Твердотельная электроника
Микроэлектроника
Доп. точки доступа:
Воронежский гос. технический ун-т
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыKouwenhoven L. Transport of electron waves and single-charges in semiconductor nanostructures : Diss. / L.Kouwenhoven, 1992. - IX,168 p. p. - Текст : непосредственный.Остапенко Г.С. Электроника и микроэлектроника : Учеб.пособие / Г.С.Остапенко, 1993. - 148 c. - Текст : непосредственный.Васянина В.А. Физические основы микроэлектроники (для специальности "Конструирование и производство РЭС") : Конспект лекций / В.А.Васянина, 1993. - 65 c. - Текст : непосредственный.Щука А.А. Основы интегральной электроники : Учеб.пособие / А.А.Щука, 1993. - 79 c. - Текст : непосредственный.Михайлова, О. М. Электроника : Раздел "Физические основы микроэлектроники": Учеб. пособие для направления 550200 "Автоматика и упр.". Ч. 1, 1994. - 49 с. - Текст : непосредственный.Валиев К.А. Физика полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники : Учеб. пособие / К.А.Валиев,А.А.Кокин, 1995. - 111 c. - Текст : непосредственный.Дьяков, В. А. Физико-математические основы твердотельной электроники : Учеб. пособие. Ч. 1, 1994. - 70 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы микроэлектроники : Межвед.темат.науч.сб. / Таганрог.гос.радиотехн.ун-т. Вып. 2, 1994. - 88 с. - Текст : непосредственный.Образование на поверхности кремния наноструктур, индуцированных адсорбцией кислорода / В.Д.Борман,Ю.Ю.Лебединский,В.В.Россинский,В.И.Троян, 1995. - 23 c. - Текст : непосредственный.Бобров, И. И. Физические основы микроэлектроники : Курс лекций. Ч. 1, 1995. - 81 с. - Текст : непосредственный.Физика полупроводников и микроэлектроника : Межвуз.сб.науч.тр. / Рязан.гос.радиотехн.акад., 1995. - 96 c. - Текст : непосредственный.Магнитные и диэлектрические приборы / Под ред.Г.В.Катца. Ч. 1, 1964. - 416 с. - Текст : непосредственный.Магнитные и диэлектрические приборы / Под ред.Г.В.Катца. Ч. 2, 1964. - 200 с. - Текст : непосредственный.Твердотельная электроника : Сб. ст. / Ульяновский гос. ун-т. 1, 1996. - 174 с. - Текст : непосредственный.Захарова И.Б. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы : Учеб.пособие / И.Б.Захарова,Т.И.Зубкова, 1996. - 43 с. - Текст : непосредственный.Бобров, И. И. Физические основы микроэлектроники : Курс лекций. Ч. 2, 1998. - 63 с. - Текст : непосредственный.Сейсян, Р. П. Принципы микроэлектроники : Учеб.пособие. Ч. 1, 1991. - 109 с. - Текст : непосредственный.Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника : Учеб. пособие / Ю.Л.Бобровский,С.А.Корнилов,И.А.Кратиров и др.;Под ред. Н.Д.Федорова, 1998. - 560 с. - Текст : непосредственный.Осадчук В.С Физические основы микроэлектронных приборов : Учеб.пособие для студентов спец."Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / В.СОсадчук, 1991. - 232 с. - Текст : непосредственный.Научная сессия МИФИ-99 : Сб.науч.тр. Т. 6 : Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, 1999. - 238 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Якименко И.И. Теория электронного транспорта в молекулярных организатах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.02 / И. И. Якименко, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зейн А.М. Исследование функции распределения вольт-амперных и гаусс-амперных характеристик горячих электронов при междолинном переносе в Ga1-x Alx As в сильных Е J.Н полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. М. Зейн, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Бжеумихов А.А. Двухканальный метод стоячих рентгеновских волн в исследовании поверхностных слоев монокристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Бжеумихов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Джабер Абдульхафиз Мохамед М.Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) и относительное изменение пробивного поля(примесного)в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / М. Джабер Пбдульхафиз Мохамед, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Марущенко С.Г. Исследование методов и разработка алгоритмов обработки электронно-микроскопических изображений с целью диагностики микроэлектронных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / С. Г. Марущенко, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Леонов Ю.С. Взаимодействие наносекундных потоков энергии из высокотемпературной плазмы с материалами микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10 / Ю. С. Леонов, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бакланов М.Р. Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si,Ge и SiO : Дис..д-ра хим.наук в форме науч.докл:02.00.04 / М. Р. Бакланов, 1991. - 47 с. - Текст : непосредственный.Щапова И.А. Эллипсометрический метод контроля параметров сложных диэлектрических структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. А. Щапова, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽