Полное описание
>
(Свободных экземпляров нет)
Шуберт, Ф. Е. Светодиоды / Ф. Е. Шуберт; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. - М. : Физматлит, 2008 (Вологда). - 495 с. : ил. - Предм. указ.: с. 488-495. - Пер. изд.: Light- emitting diodes / F. E. Schubert. - 2nd edition. - Cambridge, S.a. - 1100 экз. - ISBN 978-5-9221-0851-5 () : Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.52 |
Рубрики:
Светодиоды
Кл.слова (ненормированные): светодиод
Аннотация: Монография представляет полное изложение технологии и физики светодиодов на основе полупроводниковых соединений для видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областей спектра, а также для светодиодов белого свечения. Рассмотрены основные электрические и оптические явления и в связи с ними проанализированы характеристики современных светодиодов. Представлены новые материалы для светодиодов, в частности нитриды металлов III группы, конструкции и отражатели для вывода излучения, ультрафиолетовые светодиоды. Показаны зависимости спектров и эффективности от температуры, динамика излучательной и безызлучательной рекомбинации, предельные мощности излучения, резонаторы. Изложены свойства светодиодов белого свечения, люминофоров для преобразования спектров и проблемы применения светодиодов для общего освещения. Книга представляет интерес для исследователей, аспирантов и студентов, специализирующихся в физике полупроводников, электронике, оптике, электротехнике, светотехнике, технологии материалов; инженеров и конструкторов электронной, оптической и светотехнической аппаратуры и студентов соответствующих специальностей.
Доп. точки доступа:
Schubert, F. E.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободных экз. нет
Экз.Э08-71014 (ХР) занят;
Обложка
Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Монастырский М.А. Методы возмущений в задачах анализа и синтеза эмиссионных электронно-оптических систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.03;01.04.04 / М. А. Монастырский, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кератишвили Н.Г. Исследование статистических свойств абсолютных измерителей квантовой эффективности фотоприемников,основанных на эффекте спонтанного параметрического рассеяния(СПР) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.05 / Н. Г. Кератишвили, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Тютюнников Н.Н. Разработка автоматизированной системы расчета параметров процессов фото-и вторичной электронной эмиссии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Тютюнников, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чернов Е.И. Структурные методы и средства оптимизации фотодиодных фотоприемных устройств как преобразователей информационно-измерительных систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.11.16 / Е. И. Чернов, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыLumineszenzdioden, 1994. - 348 S. - Текст : непосредственный.Мома Ю.А. Полупроводниковые источники излучения : Учеб. пособие / Ю.А.Мома, 1989. - 36 с. - Текст : непосредственный.Шилова М.В. Полупроводниковые излучатели и фотоприемники в оптоэлектронике : Учеб. пособие / М.В.Шилова, 1989. - 76 с. - Текст : непосредственный.Особо яркие светоизлучающие диоды : 2001-2002 / АО "Протон", 2002. - 12 с.Вятчин Е.Э. Долговременная и температурная стабильности наносекундных источников света на основе синих светоизлучающих диодов из соединений InGan/Gan / Е.Э.Вятчин,Б.К.Лубсандоржиев, 2003. - 15 с. - Текст : непосредственный.Изделия на основе светодиодов / ОАО "ПРОТОН", 2006. - 27 с.Organic light emitting devices : synthesis, properties and applications / ed. K. Mullen, U. Scherf , 2006. - XVII, 410 p. - Текст : непосредственный.Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды / Л. М. Коган, 1983. - 208 с. - Текст : непосредственный.Давиденко Ю.Н. 500 схем для радиолюбителей. Современная схемотехника в освещении. Эффективное электропитание люминисцентных, галогенных ламп, светодиодов, элементов "Умного дома" / Ю. Н. Давиденко, 2008. - 320 с. - Текст : непосредственный.500 схем для радиолюбителей. Современная схемотехника в освещении. Эффективное электропитание люминисцентных, галогенных ламп, светодиодов, элементов "Умного дома" / Ю. Н. Давиденко, 2008. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM).Шуберт Ф.Е. Светодиоды / Ф. Е. Шуберт; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича, 2008. - 495 с. - Текст : непосредственный.Ефремов А.А. Электроника и электротехника. Исследование эффективности In(x)Ga(1-x)N/GaN светодиодов : учеб. пособие / А. А. Ефремов, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер, 2008. - 119 с. - Текст : непосредственный.Колкер Д.Б. Физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров : учеб. пособие / Д. Б. Колкер, 2009. - 67 с. - Текст : непосредственный.Materials science foundations. Vol. 40 : Advances in organic light-emitting device / Y. Kim, C. -S. Ha, 2008. - 140 p. - Текст : непосредственный.Зихла Ф. ЖКИ, светоизлучающие и лазерные диоды: схемы и готовые решения : пер. с нем. / Ф. Зихла, 2012. - 317 с. - Текст : непосредственный.Sun H. Laser diode beam basics, manipulations and characterizations / H. Sun, 2012. - IX, 76 p. - Текст : непосредственный.Многоканальные органические светодиоды в устройствах обработки, передачи и отображения видеоинформации : учебное пособие / А. М. Бобрешов, Е. В. Золотухин, А. Г. Кошелев, Е. В. Лаптиёв, 2020. - 102, [1] с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Вилисов, Анатолий Александрович. Светодиоды и светотехнические устройства : учебное пособие / А. А. Вилисов, В. С. Солдаткин, В. И. Туев, 2020. - 111 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Сергеев, Вячеслав Андреевич. Диагностика полупроводниковых источников излучения : учебное пособие / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев, 2022. - 95 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Вилисов, Анатолий Александрович. Полупроводниковая светотехника : учебное пособие / А. А. Вилисов, В. С. Солдаткин, В. И. Туев, 2022. - 124 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыАфраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Попов А.А. Светодиодные гетероструктуры на основе GaInAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Попов, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Моисеев К.Д. Создание и исследование инфракрасных источников света на основе гетероструктур твердых растворов арсенида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Моисеев, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Алиев Р.Ю. Фотодиоды на основе InSe с термоэлектрическим охладителем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Р. Ю. Алиев, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Амброзевич А.С. Дефектообразование в фосфидогаллиевых светодиодных структурах зеленого свечения при воздействии внешних факторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. С. Амброзевич, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бида О.Б. Исследование полупроводниковых излучающих диодов и разработка новых оптико-электронных приборов с их применением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / О. Б. Бида, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.Громова Н.Ю. Влияние процессов дефектообразования в кислородосодержащем германии на электрические свойства лавинных фотодиодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Ю. Громова, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный.Какушадзе Д.Г. Исследование вопросов кинетики и деградации электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Г. Какушадзе, 1997. - 27,18 с. - Текст : непосредственный.Туркин А.Н. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / А. Н. Туркин, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Ионычев В.К. Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя Р-N-перехода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Ионычев, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Зеневич А.О. Оптоэлектронные процессы в лавинных фотодиодах при одноквантовой регистрации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:05.27.01 / А. О. Зеневич, 1999. - 14 с. - Текст : непосредственный.Куницына Е.В. Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GaInAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. В. Куницына, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Сорокин К.В. Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / К. В. Сорокин, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Вилисов А.А. Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук:01.04.10 / А. А. Вилисов, 2001. - 37 с. - Текст : непосредственный.Жагиро П.В. Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / П. В. Жагиро, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Рудь В.Ю. Фотоплеохромизм полупроводников и диодных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.10 / В. Ю. Рудь, 2001. - 35 с. - Текст : непосредственный.Талимов А.В. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных P-N переходов и модернизации базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / А. В. Талимов, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / С. А. Тарасов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты
