Приложение
для AndroidПолное описание
Абрамов, А. А. Физические процессы в p-i-n-структурах и методы расчета функциональных характеристик p-i-n-диодов и магнитодиодов : автореферат диссертации на соискание ученой степени физ.-мат. наук:01.04.10 / А. А. Абрамов. - М. : [б. и.], 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск.гос. ин-т электрон. техники. Библиогр.:с. 39-43
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДемидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дроздовская Л.М. Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных PIN-диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / Л. М. Дроздовская, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сизюк В.А. Исследование плазменных неустойчивостей и переноса заряда в полупроводниковых микроструктурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.04 / В. А. Сизюк, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.А. Физические процессы в p-i-n-структурах и методы расчета функциональных характеристик p-i-n-диодов и магнитодиодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени физ.-мат. наук:01.04.10 / А. А. Абрамов, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.Пашковский А.Б. Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Б. Пашковский, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мередов М.М. Процессы токопереноса, фотоэффект и фотомагнитный эффект в диодных структурах на основе InAs, InP и их тройных твердых растворах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / М. М. Мередов, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный.Поляков М.Ю. Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / М. Ю. Поляков, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кузьмин В.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. В. Кузьмин, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Скворцов С.И. Нелинейные динамические режимы работы магнитодиодов и магнитотранзисторов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат.наук : 05.27.01 / С. И. Скворцов, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Золотарев Е.С. Шумовые диоды с катодным статическим и движущимися доменами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.03, 01.04.10 / Е. С. Золотарев, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный.Малимон И.В. Анизотропия горячей электролюминесценции карбидкремниевых диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. В. Малимон, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Морозова О.Н. Влияние радиационно-термических обработок на дефекты структуры и спектры глубоких уровней в тонких эпитаксиальных слоях GaAs и диодах на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / О. Н. Морозова, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Цыранов С.Н. Динамика электронно-дырочной плазмы в SOS-диодах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / С. Н. Цыранов, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Влияние спейсерных слоев на статические и высокочастотные характеристики резонансно-туннельного диода : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Ремнев, 2013. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шевлягин А.В. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. В. Шевлягин, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный.Рогожина Г.А. Экспериментальные методы изготовления и исследования диодных структур на базе нанокристаллического пористого кремния : 01.04.01 - Приборы и методы экспериментальной физики : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Г. А. Рогожина, 2019. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽