Приложение
для AndroidПолное описание
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Институт физики полупроводников (Новосибирск) ; отв ред. А. Л. Асеев. - 2-е изд., стер. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2007 (Новосибирск). - 367 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 300 экз. - ISBN 978-5-7692-0963-5 : Б. ц. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Ин-т физики полупроводников СО РАН
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382-047.84 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Производство
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковый прибор -- производство
Аннотация: Представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологий и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением.
Доп. точки доступа:
Асеев, А. Л.\ред.\
Институт физики полупроводников (Новосибирск)
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Друде П. Оптические постоянные и поверхностные слои / П.Друде, 1994. - 481 c. - Текст : непосредственный.Избранные труды классиков физической оптики: взаимодействие поляризованного света с веществом / Рос.АН. Сиб.отд-ние.Ин-т физики полупроводников, 1993. - 227 с. - Текст : непосредственный.Эллипсометрия. Теория, методы, приложения : Сб. науч. тр. / АН СССР.Сиб.отд-ние.Ин-т физики полупроводников, 1991. - 252 с. - Текст : непосредственный.Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии / А.Л.Асеев,Л.И.Федина,Д.Хель,Х.Барч;Отв. ред. С. И. Стенин, 1991. - 148 с. - Текст : непосредственный.Распределенная обработка информации : Тр.шестого междунар. семинара, 23-25 июня,1998,Новосибирск / Под ред. В.Г.Хорошевского, 1998. - 531 с. - Текст : непосредственный.Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Рос.АН.Сиб.отд-ние.Институт физики полупроводников, 2004. - 367 с. - Текст : непосредственный.Научные результаты института : ежегодник. за 2004 год, 2004. - 68 с. - Текст : непосредственный.Атомная структура полупроводниковых систем / Ин-т физики полупроводников, 2006. - 291 с. - Текст : непосредственный.Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Институт физики полупроводников (Новосибирск), 2007. - 367 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Физика диэлектрических пленок. Атомная и электронная структура / В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, 2015. - 232 с.Ржанов А.В. О событиях, фактах, людях / А. В. Ржанов ; ответственный редактор Э. В. Скубневский, 2020. - 152, [1] с. - Текст : непосредственный.40 лет Институту физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук / ответственный редактор И. Г. Неизвестный ; редактор Э. В. Скубневский, 2004. - 375 с. - Текст : непосредственный.След на земле. Солдат, ученый, учитель : посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова, 1920-2000 гг. / Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, 2002. - 441, [2] с. - Текст : непосредственный.Полупроводники : сборник научных трудов / Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, 1996. - 411 с. - Текст : непосредственный.
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЦырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Барг А.И. Фазообразование и диффузия в тонких аморфных пленках Ni-Nb на кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. И. Барг, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.Митрофанов Е.А. Применение масс-спектрометров для исследования процессов реактивного ионно-лучевого травления кремния и пленок диоксида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Е. А. Митрофанов, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ефремова Н.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых соединений А В локальными зонами (на примере арсенида галлия) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Н. П. Ефремова, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Левченко В.М. Упруго-пластические и разрывные реакции при механической обработке арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. М. Левченко, 1992. - 31 с. - Текст : непосредственный.Минаева Н.И. Разработка процесса герметизации лазерной сваркой корпусов приборов из алюминиевых сплавов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.03.06 / Н. И. Минаева, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.Эмексузян В.М. Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. М. Эмексузян, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Крупенников О.Г. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины алмазными отрезными кругами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.02.08 / О. Г. Крупенников, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шульга В.Г. Повышение точности обработки пластин кремния диаметром 150 мм на операциях доводки и полирования в условиях серийного производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.11.14 / В. Г. Шульга, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сологуб Л.В. Формирование и релаксация напряженно-деформированного состояния кремния при изготовлении изделий электронной техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Л. В. Сологуб, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Перевощиков В.А. Физико-химические процессы химико-динамического полирования полупроводников (кремний, германий, полупроводниковые соединения типа А В ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / В. А. Перевощиков, 1994. - 57 с. - Текст : непосредственный.Терещенко А.М. Моделирование аэротермодинамических процессов в чистых помещениях при производстве интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.07:05.27.01 / А. М. Терещенко, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зюрюкин А.В. Компьютерное моделирование процессов распространения и осаждения аэрозольных частиц в локальных чистых объемах микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / А. В. Зюрюкин, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный.Сидорова-Бирюкова А.А. Процессы дефектообразования и деградации параметров в кремниевых биполярных структурах при импульсном лазерном облучении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. А. Сидорова-Бирюкова, 1997. - 17 с. - Текст : непосредственный.Науменко Э.В. Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур: На прим. InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.16:05.27.06 / Э. В. Науменко, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кукоз В.Ф. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в системе кремний-германий : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. Ф. Кукоз, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Головин Д.А. Совершенствование процесса гальванического золочения из слабокислых и нейтральных электролитов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.17.03 / Д. А. Головин, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ивашкин Е.Г. Исследование и разработка процесса гальванического нанесения покрытия олово-висмут из неагрессивного цитратного электролита : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.17.03 / Е. Г. Ивашкин, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽