Приложение
для AndroidПолное описание
Tlaczala, M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala. - Wroclaw : Oficyna wydaw. politech. Wroclawskiej, 2002. - 198 s. : il. - ISBN 83-7085-633-0 : 20.00 р. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.23 |
Рубрики:
Эпитаксия
Гетероструктуры
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Байрамов Б.Х. Неупругое рассеяние света свободными носителями заряда и связанными электрон-фононными возбуждениями в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Х. Байрамов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Гвоздкова И.А. Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.05 / И. А. Гвоздкова, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стружкин В.В. Оптические свойства и электронная структура стекол As S ,As Se под давлением до 73 ГПа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / В. В. Стружкин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гэн Чунь.Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Гэн Чунь, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ижнин А.И. Люминесцентные свойства твердых растворов Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Ижнин, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Григоренко А.А. Электронная структура и оптические свойства соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Григоренко, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Крылова Н.О. Рентгеновская муаровая и плосковолновая топография дефектов в монокристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. О. Крылова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельник Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. Н. Мельник, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клингер П.М. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. М. Клингер, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ли Шэнь.Термооптические нелинейности и бистабильность в CdS и CdS Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.10 / Ли Шэнь, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лукиянец Б.А. Теория электронного спектра и электрон-фононного взаимодействия в слоистых полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.02 / Б. А. Лукиянец, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гарасим В.И. Получение и физические свойства монокристаллов твердых растворов Pb Sn S Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. И. Гарасим, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дадыкин А.А. Влияние состояния поверхности кремния на фотополевую электронную эмиссию,адсорбцию и поверхностную диффузию : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.04 / А. А. Дадыкин, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мальтекбасов М.Ж. Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников,полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Ж. Мальтекбасов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Григорьев Р.В. Приповерхностная низкотемпературная фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов CdS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Р. В. Григорьев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Федина Л.И. Формирование скоплений междоузельных атомов в кристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / Л. И. Федина, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гельфанд Р.Б. Электронная структура дефектов,содержащих водород и литий в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Р. Б. Гельфанд, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSchapers T. Ablenkung ballistischer Elektronen in ALGaAs/GaAs-Heterostrukturen mittels elektrischer und magnetischer Felder : Diss. / T.Sch@:apers, 1992. - 113 S. - Текст : непосредственный.Heberle A.P. Piko-und Femtosekundendynamik von Tunnelprozessen in Halbleiterheterostrukturen : Diss. / A.P.Heberle, 1993. - 106 S. - Текст : непосредственный.Dahmen M. Untersuchungen des Elektronentransports in Ge/GaAs-Heterostrukturen : Diss. / M.Dahmen, 1993. - 112 S. - Текст : непосредственный.Городниченко О.К. Высокотемпературные пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия / О.К.Городниченко, 1993. - 142 c. - Текст : непосредственный.Бушуев В.А. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок / В.А.Бушуев,Р.Н.Кютт,Ю.П.Хапачев;Под ред.Ю.П.Хапачева, 1996. - 280 c. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / Ин-т "Электроника". Вып. 4(1666) : Современные достижения молекулярно-лучевой и лазерной эпитаксии в создании пленочных квантовых структур:По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1976-1990 гг. / С.С.Гельбух,А.С.Джумалиев,Ю.В.Ершова и др, 1992. - 61 с. - Текст : непосредственный.Herman M.A. Molecular beam epitaxy : Fundamentals and current status / M.A.Herman,H.Sitter, 1989. - XII,382 p. p. - Текст : непосредственный.Калашников А.Н. Аппроксимация интегралов столкновения для потенциалов Леннарда-Джонса m-6 в интервале приведенных температур Т = 0,4 200 и показателей m=8 / А.Н.Калашников,Л.Р.Фокин, 1997. - 39 c&. - Текст : непосредственный.Notzel R. Direktsynthese und elektronische Eigenschaften von korrugierten Ubergittern und Heterostrukturen auf nicht-(100)- orientierten GaAs- Oberflachen : Diss. / R.N@:otzel, 1992. - 109 S. - Текст : непосредственный.Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Н.П.Афанасьева,А.М.Данишевский,А.В.Дербин и др., 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Головнев И.Ф. Квантовая модель элементарных процессов в молекулярно-лучевой эпитаксии. 1.Решение нестационарного уравнения Шредингера в потенциалах, моделирующих взаимодействие с поверхностью / И.Ф.Головнев,О.В.Хохлов, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Бетеров И.М. Методы диагностики молекулярных пучков / И.М.Бетеров,А.С.Яценко, 1991. - 49 c. - Текст : непосредственный.Лойко Н.Н. Введение в молекулярно-лучевую эпитаксию / Н.Н.Лойко;Под ред.Ю.В.Копаева, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный.Попов В.Ф. Установки молекулярно-пучковой эпитаксии / В.Ф.Попов, 1991. - 48 с. - Текст : непосредственный.Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy : theory and practice / G.B.Stringfellow, 1989. - XVIII,398 p. p. - Текст : непосредственный.Advances in epitaxy and endotaxy / сост.ed. H. G. Schneider, 1990. - 460 p. - Текст : непосредственный.Demel Th. Ein-und nulldimensionale elektronische Systeme in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen : Diss / Th.Demel, 1990. - 120 S. - Текст : непосредственный.Зависимость -фактора двумерных электронов гетероструктуры Ga1-x Alx As-GaAs от магнитного поля / Д.Ю.Родичев,С.М.Чудинов,Д.Манчини,С.Стицца, 1990. - 5 c. - Текст : непосредственный.Курицын Е.М. Изменение кинетики роста слоев при жидкофазной эпитаксии в поле -облучения / Е.М.Курицын, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in AlGaN/GaN heterostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2002. - 3435-3443 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный.Королев А.Н. Квазихимическое взаимодействие при формировании приповерхностных легированных слоев и кристаллизации пленок в газофазных процессах диффузии и роста : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / А. Н. Королев, 1996. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пчеляков О.П. Формирование пленок и наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / О. П. Пчеляков, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 02.00.04 / В. Ф. Марков, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный.Сидоров Ю.Г. Физико-химические основы молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных полупроводников Pb ,Sn , Te и Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. Г. Сидоров, 1998. - 32 с. - Текст : непосредственный.Ивонин И.В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. В. Ивонин, 1998. - 33 с. - Текст : непосредственный.Алексеев А.Н. Динамика поверхностных процессов в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.04 / А. Н. Алексеев, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный.Моисеев А.Н. Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd Hg Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук:02.00.19 / А. Н. Моисеев, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный.Преображенский В.В. Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. В. Преображенский, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Галицын Ю.Г. Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук :02.00.21 / Ю. Г. Галицын, 2001. - 39 с. - Текст : непосредственный.Спицын А.Б. Кристаллизация из газовой фазы пленок алмаза и алмазоподобных нитридов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.02.01 / А. Б. Спицын, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : автореф. дис. .. д-ра хим. наук : 02.00.01 / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Мурашова А.В. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. В. Мурашова, 2002. - 17 с. - Текст : непосредственный.Худайбергенов Г.Ж. Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Г. Ж. Худайбергенов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Weishart H. Monomolekulare und gebundelte Stufen an der Wachstumsflache von GaAs-Flussigphasenepitaxie-Schichten : Diss. / H.Weishart, 1992. - 147 S. - Текст : непосредственный.Jing X. Ge cluster formation with monolayer and submonolayer coverages on the GaAs(110) surface / X.Jing,K.M.Glassford,J.R.Chelikowsky, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽