Приложение
для AndroidПолное описание
International conference on solid-state and integrated circuit technology(6th;2001;Shanghai).
Papers from 2001 6th International conference,Oct. 22-25,2001,Shanghai,China / Ed.:Li B.-Z. et al. - New York : IEEE press, 2001 - . - ISBN 0-7803-6520-8. - Текст : непосредственный.
Vol.1 / ). - [S. l.] : IEEE, 2001. - XVI,732,XV p. : ill. - (IEEE publications / Institute of electrical and electronics engineers, ISSN 0149-144X ; 01EX443 ; 04). - 50.00 Rub
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382(062) | |
| 47.13.11 | 621.3.049.77-047.84(062) |
Рубрики:
Твердотельная электроника -- Съезды и конференции
Интегральные схемы -- Производство -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Li B.-Z.\ed.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия:
Papers from 2001 6th International conference,Oct. 22-25,2001,Shanghai,China / Ed.:Li B.-Z. et al. Vol.1 / ), 2001. - XVI,732,XV p. - Текст : непосредственный.Papers from 2001 6th international conference,Oct.22-25,2001,Shanghai / Ed.:Li B.-Z. et al. Vol.2 / ), 2001. - XVI,733-1473,XV p. - Текст : непосредственный.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыExtended abstracts of the 22nd international conference on solid state devices and materials,Aug.22-24,1990,Sendai / International conference on solid state devices and materials (22 ; 1990 ; Sendai) , 1990. - XIII,1247 p. мкф. - Текст : непосредственный.Solid state devices and materials : Coll.of papers presented at the Intern.conf.on solid state devices and materials,Chiba,Aug.29-Sept.1,1993 / SSDM'93, 1994. - 359-943 p. p. - Текст : непосредственный.Solid state devices and materials : Papers presented at the intern.conf.on solid state devices and materials,held in Yokohama,Aug.23-26 1994 / SSDM'94, 1995. - 691-1412 p. p. - Текст : непосредственный.Microcircuit engineering 93 : Proc.of the intern.conf.on microfabrication,Sept.26-29,1993,Maastricht / ME'93, 1994. - 496 p. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники : Тез. докл. Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участием (г. Таганрог, 26-29 июня 1994 г.) / Редкол.: Коноплев Б.Г. (отв. ред.) и др. Ч. 1, 1994. - 122 с. - Текст : непосредственный.Solid state device research 92 : Proc.of the 22nd Europ.solid state device research conf.,Leuven,14-17 Sept.1992 / ESSDERC'92, 1992. - XXXVII,932 p. p. - Текст : непосредственный.Quantum well intersubband transition physics and devices : Proc.of the NATO advanced research workshop on quantum well.. Whistler,Sept.7-10,1993 / ed. H. C. Liu, 1994. - XII,578 p. p. - Текст : непосредственный.Physical and technical problems of SOI structures and devices : Proc.of the NATO advanced research workshop on physical and technical problems of SOI structures and devices Gurzuf,Nov.1-4,1994 / ed. J. P. Colinge, 1995. - X,290 p. p. - Текст : непосредственный.Solid state devices and materials : Papers presented at the 1995 Intern.conf.on solid state devices and materials,Osaka,Aug.21-24 / SSDM'95, 1996. - 793-1597 p. p. - Текст : непосредственный.Quantum transport in ultrasmall devices : Proc.of a NATO advanced study inst.quantum transport in ultrasmall devices,Il Ciocco,17-30,1994 / ed. D. K. Ferry, 1995. - X,544 p. p. - Текст : непосредственный.Special issue on JESSI basic & long-term research : Advanced CMOS cluster Workshop,29-30 March 1995 / ed. R. de Keersmaecker, 1996. - 134 p. - Текст : непосредственный.Heterostructure epitaxy and devices : Proc.of the NATO Advanced research workshop on heterostructure epitaxy and devices,Smolenice Castle,Slovakia,Oct. 15-19,1995 / HEAD'95, 1996. - XIII,323 p. p. - Текст : непосредственный.Devices based on low-dimensional semiconductor structures : Proc.of the NATO Advanced study inst.on devices based on low-dimensional semiconductor structures,Sozopol,Bulgaria,Sept. 19-30,1995 / ed. M. Balkanski, 1996. - XV,406 p. p. - Текст : непосредственный.Solid state devices and materials : Papers presented intern.conf.on solid state ..,Yakohama,Aug.26-29,1996 / SSDM'96, 1997. - 1319-1993 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 1988 bipolar circuits and technology meeting,Sept.12-13,1988,Minneapolis(Mn) : Mfiche(3) / BCTM, 1988. - 250 мкфш. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 1987 bipolar circuits and technology meeting,Sept.21-22,1987,Minneapolis,Mn : Mfiche(3) / BCTM, 1987. - 205 мкфш. - Текст : непосредственный.Colloquium on heterojunction and quantum well devices: physics, engineering and applications, 27 Oct. 1988, London / Colloquium on heterojunction and quantum well devices: Physics, engineering and applications (1988 ; London) , 1988. - Pag. var. var. - Текст : непосредственный.Solid state devices and materials : Papers presented at the intern.conf.on solid state.., Tokyo,Sept.21-24, 1999 / SSDM'99, 2000. - 1963-2482 p. p. - Текст : непосредственный.Perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices : Proc.of the NATO advanced research workshop on perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices, Kyiv, 12-15 Oct.1998 / Ed. P. L. Hemment, 1999. - XXI, 344 p. 344 p. - Текст : непосредственный.Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : Тез. докл. 4-го Всерос. совещ., 18-19 сент. 2000 г., С.-Петербург / Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), 2000. - 119 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽