Приложение
для AndroidПолное описание
Козловский, В. И. Моделирование парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений пленок CdS, CdSe, ZnSe и ZnS / В. И. Козловский, Д. А. Санников. - М. : [б. и.], 2006. - 19 с. : ил. - (Препринт / Физический ин-т им. П.Н.Лебедева (Москва) ; 19(2006)). - Библиогр.: с. 17-18(18 назв.). - 100 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.23(04) |
Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Производство
Доп. точки доступа:
Санников, Д.А.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Горелик В.С. Динамическая опалесценция при фазовых переходах и неоднородных системах / В.С.Горелик,С.Д.Точилин, 2003. - 95 с. - Текст : непосредственный.Дронов В.В. Сравнительный анализ состояния современных систем регистрации РСДБ данных на жестких дисках / В.В.Дронов, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Измерение пространственно-частотных и амплитудных характеристик устройства регистрации изображения на основе П.З.С.-матрицы / К.А.Журович,В.П.Кириллов,А.В.Куценко,Ю.А.Михайлов;Журович К.А., Кириллов В.П., Куценко А.В. и др, 2003. - 30 с. - Текст : непосредственный.Методика автоматического сканирования рентгеновских пленок / П.А.Публиченко,В.А.Дербина,Л.Г.Свешникова,Н.Г.Полухина;Публиченко П.А., Дербина В.А., Свешникова Л.Г. и др, 2003. - 21 с. - Текст : непосредственный.Объемное вторичное излучение в широкозонных полупроводниках и диэлектриках при лазерном возбуждении / В.С.Горелик,А.Л.Карузский,П.П.Свербиль,А.В.Червяков;Горелик В.С., Карузский А.Л., Свербиль П.П., Червяков А.В., 2003. - 39 с. - Текст : непосредственный.Ориентационное воздействие фемтосекундных световых импульсов на нематические жидкие кристаллы / М.И.Барник,И.А.Будаговский,В.А.Еникеева,А.С.Золотько;Барник М.И., Будаговский И.А., Еникеева В.А. и др, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный.Экспериментальная установка для изучения химических лазеров с ИК инициированием / А.О.Александров,Б.Л.Васин,Н.П.Зарецкий,Я.М.Кравец, 2003. - 47 с. - Текст : непосредственный.Якуткин В.В. Подавление хаотической генерации, вызванной внешней оптической обратной связью в полупроводниковом лазере / В.В.Якуткин,С.П.Котова, 2003. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исследование корреляций нейтронов в гало ядрах в реакциях с передачей двух нейтронов / Г.Е.Беловицкий,В.П.Заварзина,Е.С.Конобеевский и др, 2003. - 15 с. - Текст : непосредственный.Комбинированная лазерная система для усиления слабых сигналов / И.М.Бельдюгин,В.Ф.Ефимков,И.Г.Зубарев,С.И.Михайлов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный.Характерные спектры излучения лазерной и разрядной плазмы / В.Б.Розанов,Е.М.Иванов,С.Ю.Гуськов и др, 2003. - 31 с. - Текст : непосредственный.Изучение структуры ядра 7Li в распадах релятивистских ядер 7Li в ядерной фотоэмульсии / М.И.Адамович,С.Г.Герасимов,В.А.Дронов и др, 2003. - 10 с. - Текст : непосредственный.Старков Н.И. Расширенные варианты базовой динамической модели общества / Н.И.Старков, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Солонцов А.З. Аномальные структурные, электронные и магнитные свойства нитрида урана / А.З.Солонцов,В.П.Силин, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Горелик В.С. Вторичное излучение в модифицированных биологических структурах / В.С.Горелик,Л.И.Злобина, 2003. - 51 с. - Текст : непосредственный.Старков Н.И. Анализ изображений RICH-детектора с помощью нейронной сети / Н.И.Старков, 2003. - 13 с. - Текст : непосредственный.Митрофанов А.В. Кинетика травления трековых мембран с высокой пористостью / А.В.Митрофанов, 2003. - 47 с. - Текст : непосредственный.полупроводниковые лазеры видимого диапазона как источник возбуждения комбинационного рассеяния света : Препринт / В.С.Горелик,П.П.Свербиль,А.Б.Фадюшин,В.В.Васильев, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Программа исследований по физике.. мезонных ядер на нуклотроне ЛВЭ ОИЯИ / М.Х.Аникина,Ю.С.Анисимов,С.А.Афанасьев и др, 2003. - 32 с. - Текст : непосредственный.Старцев А.В. О природе лазерных поляритонных треков в мыльной пленке / А.В.Старцев,Ю.Ю.Стойлов, 2003. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Байрамов Б.Х. Неупругое рассеяние света свободными носителями заряда и связанными электрон-фононными возбуждениями в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Х. Байрамов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Гвоздкова И.А. Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.05 / И. А. Гвоздкова, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стружкин В.В. Оптические свойства и электронная структура стекол As S ,As Se под давлением до 73 ГПа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / В. В. Стружкин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гэн Чунь.Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Гэн Чунь, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ижнин А.И. Люминесцентные свойства твердых растворов Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Ижнин, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Григоренко А.А. Электронная структура и оптические свойства соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Григоренко, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Крылова Н.О. Рентгеновская муаровая и плосковолновая топография дефектов в монокристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. О. Крылова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельник Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. Н. Мельник, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клингер П.М. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. М. Клингер, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ли Шэнь.Термооптические нелинейности и бистабильность в CdS и CdS Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.10 / Ли Шэнь, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лукиянец Б.А. Теория электронного спектра и электрон-фононного взаимодействия в слоистых полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.02 / Б. А. Лукиянец, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гарасим В.И. Получение и физические свойства монокристаллов твердых растворов Pb Sn S Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. И. Гарасим, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дадыкин А.А. Влияние состояния поверхности кремния на фотополевую электронную эмиссию,адсорбцию и поверхностную диффузию : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.04 / А. А. Дадыкин, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мальтекбасов М.Ж. Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников,полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Ж. Мальтекбасов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Григорьев Р.В. Приповерхностная низкотемпературная фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов CdS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Р. В. Григорьев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Федина Л.И. Формирование скоплений междоузельных атомов в кристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / Л. И. Федина, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гельфанд Р.Б. Электронная структура дефектов,содержащих водород и литий в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Р. Б. Гельфанд, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыKessler F. VUV-Photo-CVD : Untesuchungen zur Gasphasenabscheidung amorpher Halbleiter mit Hilfe einer externen VUV-QuelleDiss. / F.Kessler, 1994. - 121 S. - Текст : непосредственный.Rosen B. Molekularstrahlepitaxie von Eisensilizidschichten aus gasformigen Quellen auf Si(100) und Si(111) : Diss. / B.R@:osen, 1994. - 126 S. - Текст : непосредственный.Ruhnau U. Epitaktisches Wachstum von ss-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung : Diss. / U.Ruhnau, 1996. - 100 S. - Текст : непосредственный.Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern : Diss. / R.Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный.Гайдуков Г.Н. Исследование газа взаимодействующих частиц на поверхности твердого тела термодинамическим методом и методом компьютерного моделирования / Г. Н. Гайдуков, Е. А. Кожевников, Ю. В. Копаев, 1996. - 27 с. - Текст : непосредственный.Kawanami H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H.Kawanami, 1991. - 87 p. - Текст : непосредственный.Grundmann D. UV-stimuliertes Wachstum von III-V-Halbleiterschichten im Niedrigdruck-MOCVD-System : Diss. / D.Grundmann, 1989. - 118 S. - Текст : непосредственный.Razeghi M. The MOCVD Challenge. Vol. 1 : survey of GaInAsP-InP for photonic and electronic applications, 1989. - XII,328 p. p. - Текст : непосредственный.Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло / Л.Н.Александров,Р.В.Бочкова,А.Н.Коган,Н.П.Тихонова;Отв.ред.С.И.Стенин, 1991. - 167 с. - Текст : непосредственный.Обзор. ФЭИ-0241 : Технологические аспекты жидкофазной эпитаксии полупроводников, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный.DenBaars S.P. Atomic layer epitaxy of III-V compound semiconductors by thermal and laser-assisted metalorganic chemical vapor deposition : Diss.: Mfiche (3) / S.P.DenBaars, 1988. - 226 мкфш. - Текст : непосредственный.Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев / В.В. Колмычков, О.С. Мажорова, Ю.П. Попов , 2004. - 35 с. - Текст : непосредственный.Моделирование парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений пленок CdS, CdSe, ZnSe и ZnS / В. И. Козловский, Д. А. Санников, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов : учебное пособие / Л. Н. Маскаева [и др.], 2018. - 129, [3] с.Гусев, Андрей Олегович. Численное моделирование процесса кристаллизации трехкомпонентного раствора на подвижной сетке / А. О. Гусев, 2022. - 30 с. (Введено оглавление). - Текст (визуальный) : непосредственный.Плазмохимический синтез, исследование и применение тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и бинарной оксидной системы ZnO-TeO2 : монография / Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, А. В. Князев [и др.], 2024. - 211 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Гайдуков Г.Н. Исследование газа взаимодействующих частиц на поверхности твердого тела термодинамическим методом и методом компьютерного моделирования / Г. Н. Гайдуков, Е. А. Кожевников, Ю. В. Копаев, 1996. - 27 с. - Текст : непосредственный.Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев / В.В. Колмычков, О.С. Мажорова, Ю.П. Попов , 2004. - 35 с. - Текст : непосредственный.Моделирование парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений пленок CdS, CdSe, ZnSe и ZnS / В. И. Козловский, Д. А. Санников, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гусев, Андрей Олегович. Численное моделирование процесса кристаллизации трехкомпонентного раствора на подвижной сетке / А. О. Гусев, 2022. - 30 с. (Введено оглавление). - Текст (визуальный) : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽