Приложение
для AndroidПолное описание
Корольков, В. И. Зонные энергетические диаграммы гетероструктур на основе материалов А3В3 и их твердых растворов / В. И. Корольков. - СПб. : [б. и.], 2005. - 25 с. : ил. ; 20 см. - (Препринт / Физико-технический ин-т им. А.Ф.Иоффе. Ленинград ; 1785). - Библиогр.: с. 23-25(87 назв.). - 100 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9(04) |
Рубрики:
Гетероструктуры
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Подготовка эксперимента по нагреву плазмы в токамаке ТУМАН-3Н путем инжекции пучка нейтральных атомов / Л.Г.Аскинази,А.Г.Барсуков,В.Е.Голант,В.К.Гусев;Аскинази Л.Г., Барсуков А.Г., Голант В.Е. и др, 2003. - 31 с. - Текст : непосредственный.Никулин В.К. Теоретическое исследование процессов электронного захвата и возбуждения при столкновениях между водородоподобными ионами гелия и ионами C5+, N6+, O7+ / В.К.Никулин,Н.А.Гущина, 2003. - 42 с. - Текст : непосредственный.Котов Б.А. Возможен ли магнитно-нуклонный катализ с участием магнитного монополя при электрическом взрыве проводников в воде? О макроскопическом эффекте трансформации атомных ядер /Феноменология : концепция и сценарии/ / Б. А. Котов, Б. М. Левин, В. И. Соколов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Калинкин Б.Н. О процессе множественного рождения при сверхвысоких энергиях / Б.Н.Калинкин,Ю.Ф.Гагарин, 2004. - 49 с. - Текст : непосредственный.Владимир Пантелеймонович Жузе(1904-1993). Жизнь и научная деятельность (очерки), 2004. - 48 с. - Текст : непосредственный.Никулин В.К. Теоретическое изучение процессов перезарядки и возбуждения при столкновениях между He+ и B4+, C5+, N6+, O7+ водородоподобными ионами / В. К. Никулин, Н. А. Гущина, Ю. Н. Царев, 2004. - 65 с. - Текст : непосредственный.Средние значения различных степеней сфероидальных координат для экранированных одноэлектронных орбиталей квазимолекул / Н.А. Гущина, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.Формируемые взрывом снаряды: аэродинамические свойства и методики формирования (обзор по данным зарубежных работ) / А.Н. Михалев, 2004. - 38 с. - Текст : непосредственный.Электронно-стимулированный ядерный синтез / Е.А. Шевкин, 2004. - 11 с. - Текст : непосредственный.Высокотемпературное излучение антипротонов в центральных столкновениях тяжелых релятивистских ядер / Б.Н. Калинкин, Ю.Ф. Гагарин, 2005. - 9 с. - Текст : непосредственный.О динамике кварков в компаунд-системе - источнике множественного рождения адронов / Б.Н. Калинкин, Ю.Ф. Гагарин, 2005. - 11 с. - Текст : непосредственный.Соотношение n -средних чисел множественностей заряженных адронов в процессах e+e nh и рр nh / Б.Н. Калинкин, Ю.Ф. Гагарин, 2005. - 8 с. - Текст : непосредственный.Изучение влияния нарезки стабилизированного цилиндрического тела на его аэродинамические коэффициенты (по данным зарубежных работ) : . / А.Н. Михалев, 2004. - 43 с. - Текст : непосредственный.Ортопозитроний: о возможной связи между тяготением и электричеством / Б.А. Котов, Б.М. Левин, В.И. Соколов , 2005. - 41 с. - Текст : непосредственный.Никулин В.К. Сечения процессов перезарядки и возбуждения при столкновениях альфа-частиц с многоэлектронными примесями в плазме (Li и Be-подобные ионы кислорода) / В.К. Никулин, Н.А. Гущина, 2005. - 41 с. - Текст : непосредственный.Зонные энергетические диаграммы гетероструктур на основе материалов А3В3 и их твердых растворов / В. И. Корольков, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.Тунгусская катастрофа: источник излучения / О. Г. Гладышева, 2005. - 30 с. - Текст : непосредственный.Никулин В.К. Одно- и двухфазная перезарядка при медленных столкновениях He2+ -H2 / В. К. Никулин, Н. А. Гущина, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSchapers T. Ablenkung ballistischer Elektronen in ALGaAs/GaAs-Heterostrukturen mittels elektrischer und magnetischer Felder : Diss. / T.Sch@:apers, 1992. - 113 S. - Текст : непосредственный.Heberle A.P. Piko-und Femtosekundendynamik von Tunnelprozessen in Halbleiterheterostrukturen : Diss. / A.P.Heberle, 1993. - 106 S. - Текст : непосредственный.Dahmen M. Untersuchungen des Elektronentransports in Ge/GaAs-Heterostrukturen : Diss. / M.Dahmen, 1993. - 112 S. - Текст : непосредственный.Бушуев В.А. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок / В.А.Бушуев,Р.Н.Кютт,Ю.П.Хапачев;Под ред.Ю.П.Хапачева, 1996. - 280 c. - Текст : непосредственный.Notzel R. Direktsynthese und elektronische Eigenschaften von korrugierten Ubergittern und Heterostrukturen auf nicht-(100)- orientierten GaAs- Oberflachen : Diss. / R.N@:otzel, 1992. - 109 S. - Текст : непосредственный.Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Н.П.Афанасьева,А.М.Данишевский,А.В.Дербин и др., 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Demel Th. Ein-und nulldimensionale elektronische Systeme in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen : Diss / Th.Demel, 1990. - 120 S. - Текст : непосредственный.Зависимость -фактора двумерных электронов гетероструктуры Ga1-x Alx As-GaAs от магнитного поля / Д.Ю.Родичев,С.М.Чудинов,Д.Манчини,С.Стицца, 1990. - 5 c. - Текст : непосредственный.Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in AlGaN/GaN heterostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2002. - 3435-3443 p. p. - Текст : непосредственный.Карамов Ф.А. Суперионные проводники. Гетероструктуры и элементы функциональной электроники на их основе / Ф.А.Карамов, 2002. - 237 с. - Текст : непосредственный.Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники / А.С. Борухович, 2004. - 175 с. - Текст : непосредственный.Физические основы микроэлектроники. Полупроводниковые гетероструктуры в микро- и наноэлектронике : учеб. пособие / Г. Н. Шелованова, 2005. - 175 с. - Текст : непосредственный.Аналитическое определение потенциала удержания и константы связи спин-орбитального взаимодействия электронов в наноструктурах / М. Динейхан, С.А. Жаугашева, Ж.К. Калкозова , 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зонные энергетические диаграммы гетероструктур на основе материалов А3В3 и их твердых растворов / В. И. Корольков, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.Tlaczala M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala, 2002. - 198 s. - Текст : непосредственный.Berichte / Hahn-Meitner-Inst. B 611 : Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts : Diss. / L. Korte, 2006. - II, 170 S. - Текст : непосредственный.Гетероструктурная наноэлектроника : учеб. пособие / А. Н. Ковалев, 2009. - 154 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7493 : Lokaler und nichtlokaler Transport in Normalleiter-Supraleiter-Heterostrukturen : Diss. / J. Brauer, 2009. - IV, 89 S. - Текст : непосредственный.Мокеров В.Г. Научное наследие / В. Г. Мокеров, 2010. - 607 с. - Текст : непосредственный.Кутвицкий, В. А. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих оксидных фаз и их использование в целях аналитического контроля. Ч. 1 : Гетероструктуры на основе висмутсодержащих кристаллических фаз и их использование в качестве сенсорных материалов, 2012. - 190 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыВахненко О.О. Spectral and transport characteristics of an arbitrary bent planar quantum electron guide / О.О.Вахненко, 1993. - 13 p.Маркова Н.В. Generation of electron-hole pairs in narrow-gap semiconductor heterostructures by the potential barrier (Klein's effect) / Н.В.Маркова, 1994. - 3 p. - Текст : непосредственный.Маркова Н.В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film / Н.В.Маркова, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е.А.Муляров,С.Г.Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Влияние дефектов подложек полуизолирующего GaAs и переходных элементов на оптические свойства квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs / С.А.Казарян,А.М.Гукасян,Н.Ф.Ораевский и др., 1995. - 29 c. - Текст : непосредственный.Барьеры Шоттки и химические окислы на высокоомном кремнии р-типа / И.М.Котина,Г.В.Пацекина,В.Д.Савельев и др., 1996. - 37 c. - Текст : непосредственный.Электрические и оптические свойства эпитаксиальных структур ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М.В.Греков,Е.М.Дианов,А.М.Прохоров и др., 1994. - 33 с. - Текст : непосредственный.Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т.А.Брянцева,Д.В.Любченко,Е.О.Юневич,Г.Г.Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.Кикоин К.А. Примесные состояния 3d ионов в сверхрешетках I типа / К.А.Кикоин,Л.А.Манакова, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Романов Ю.А. Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток / Ю.А.Романов,Е.В.Демидов, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Н.П.Афанасьева,А.М.Данишевский,А.В.Дербин и др., 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Релаксационные методы определения электрофизических параметров поверхностно-барьерных структур / В.А.Гусев,Т.В.Паничевская,А.В.Саченко,В.И.Турчаников, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Фимин Н.Н. Применение вигнеровского формализма к исследованию свойств полупроводниковых гетероструктур / Н.Н.Фимин,В.А.Чуянов, 1998. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ликальтер А.А. Прыжковая проводимость в гранулированных металлах около перехода изолятор-металл / А.А.Ликальтер, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ташенов Т.Б. Пассивация и реактивация глубоких уровней переходных металлов и серы в кремнии / Т.Б.Ташенов, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Апенко С.М. Transmission coefficient of ballistio juctions with coulomb interaction / С. М. Апенко, Ya. M. Blanter, Yu. B. Lozovik, 1992. - 5 p. - Текст : непосредственный.Индутный И.З. Фото - ЭДС в структурах As Sз - Ag / И. З. Индутный, А. А. Кудрявцев, Е. В. Михайловская, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Formation and annealing of defects in N-type silicon under combined gettering / N.T.Bagraev,L.E.Klyachkin,A.M.Malyarenko и др., 1990. - 36 p. - Текст : непосредственный.Ликальтер А.А. Примесные состояния и переход изолятор - металл в вольфрамовых бронзах / А.А.Ликальтер, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Gamma-ray diffractometry investigation of CaF2/Si(III) heterostructures grown by mbe / A.I.Kurbakov,E.E.Rubinova,A.E.Sokolov и др., 1991. - 28 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽