Приложение
для AndroidПолное описание
Петлицкий, А. Н. Особенности геттерирования примесей в кислородсодержащем кремнии : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Н. Петлицкий. - Минск : [б. и.], 2004. - 21 с. - Библиогр.: с. 16-18(20 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382.004.6(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМасловский В.М. Долговременные нестационарные процессы в МДП структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / В. М. Масловский, 1996. - 38 с. - Текст : непосредственный.Трегулов В.В. Перезарядка глубоких уровней в полупроводниках при релаксационной спектроскопии и рекомбинации через ловушки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:01.04.10 / В. В. Трегулов, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Личманов Ю.О. Транспорт носителей в аморфных диэлектриках МДП структур с пространственными неоднородностями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. О. Личманов, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Беккер А.А. Влияние электронного и альфа-облучения на дефектообразование в кремниевых приборных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. А. Беккер, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. А. Саланов, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Петлицкий А.Н. Особенности геттерирования примесей в кислородсодержащем кремнии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Н. Петлицкий, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Саланов А.А. Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. А. Саланов, 2005. - 21 с. - Текст : непосредственный.Лановая А.В. Механизмы разрушения и залечивания трещин в дефектных проводниках с током, обусловленные воздействием электромагнитного поля : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Лановая, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽