Приложение
для AndroidПолное описание
Туринов, В. И. Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.01 / В. И. Туринов. - М. : [б. и.], 2004. - 37 с. : ил . - Библиогр.: с. 34-37 (57 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.52(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Монастырский М.А. Методы возмущений в задачах анализа и синтеза эмиссионных электронно-оптических систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.03;01.04.04 / М. А. Монастырский, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кератишвили Н.Г. Исследование статистических свойств абсолютных измерителей квантовой эффективности фотоприемников,основанных на эффекте спонтанного параметрического рассеяния(СПР) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.05 / Н. Г. Кератишвили, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Тютюнников Н.Н. Разработка автоматизированной системы расчета параметров процессов фото-и вторичной электронной эмиссии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Тютюнников, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чернов Е.И. Структурные методы и средства оптимизации фотодиодных фотоприемных устройств как преобразователей информационно-измерительных систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.11.16 / Е. И. Чернов, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАфраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Попов А.А. Светодиодные гетероструктуры на основе GaInAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Попов, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Моисеев К.Д. Создание и исследование инфракрасных источников света на основе гетероструктур твердых растворов арсенида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Моисеев, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Алиев Р.Ю. Фотодиоды на основе InSe с термоэлектрическим охладителем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Р. Ю. Алиев, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бида О.Б. Исследование полупроводниковых излучающих диодов и разработка новых оптико-электронных приборов с их применением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / О. Б. Бида, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.Какушадзе Д.Г. Исследование вопросов кинетики и деградации электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Г. Какушадзе, 1997. - 27,18 с. - Текст : непосредственный.Туркин А.Н. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / А. Н. Туркин, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Зеневич А.О. Оптоэлектронные процессы в лавинных фотодиодах при одноквантовой регистрации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:05.27.01 / А. О. Зеневич, 1999. - 14 с. - Текст : непосредственный.Куницына Е.В. Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GaInAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. В. Куницына, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Вилисов А.А. Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук:01.04.10 / А. А. Вилисов, 2001. - 37 с. - Текст : непосредственный.Рудь В.Ю. Фотоплеохромизм полупроводников и диодных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.10 / В. Ю. Рудь, 2001. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / С. А. Тарасов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.Ф. Высокочувствительные PIN-фотодиодные модули на основе фосфида индия для волоконно-оптических линий связи : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / В. Ф. Андриевский, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Каробоев А.Г. Процессы, определяющие деградацию фосфид-галлиевых светоизлучающих диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. Г. Каробоев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гусейнов А.А. Создание и исследование светодиодов на основе изопериодных гетероструктур GaInAsSb-GaSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. А. Гусейнов, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мамедов Д.С. Широкополосные источники оптического излучения на основе полупроводниковых суперлюминесцентных диодов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Д. С. Мамедов, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Kuhn E.W. Untersuchung der Akzeptordiffusion an InP/InGaAs-Heterostrukturen : Diss. / E.W.Kuhn, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный.Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 05.27.01 / В. И. Туринов, 2004. - 37 с. - Текст : непосредственный.Стоянов Н.Д. Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Н. Д. Стоянов, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽