Приложение
для AndroidПолное описание
Мавлянов, Р. К. Получение аморфных и микрокристаллических тонкопленочных материалов а-Si C H, -SiH и исследование свойств пленок и приборных структур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Р. К. Мавлянов. - СПб. : [б. и.], 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе.Библиогр.:с. 19(4 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592(043) | |
| 47.09.29 | 621.382(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Витусевич С.А. Исследование контактной эксклюзии электронно-дырочной плазмы в полупроводниках конечных размеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / С. А. Витусевич, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шофман В.Г. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Г. Шофман, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ганиев М.Х. Гидрогенизированные аморфные полупроводники а-Si C :H.Получение и свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / М. Х. Ганиев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Зубков В.И. Матричные и линейные ПЗС со встроенными периферийными устройствами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. И. Зубков, 1992. - Текст : непосредственный.Цацульников А.Ф. Строение и свойства глубоких акцепторных центров,создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.Наук:01.04.10 / А. Ф. Цацульников, 1992. - 17 с. - Текст : непосредственный.Понарина Е.Н. Особенности оптических,электрических и фотоэлектрических свойств аморфного гидрированного кремния с высокой концентрацией водорода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. Н. Понарина, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кулахметов Ф.Х. Активация диэлектрических и полупроводниковых материалов неравновесными электрическими разрядами в газах применительно к повышению адгезионных свойств поверхности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ф. Х. Кулахметов, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Зайцев А.М. Люминесценция ионно-имплантированных алмаза и кубического нитрида бора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Зайцев, 1992. - 35 с. - Текст : непосредственный.Растегаев В.П. Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / В. П. Растегаев, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зотина Е.Н. Об одной задаче расчета и оптимизации конструкции полупроводникового прибора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:05.13.16 / Е. Н. Зотина, 1993. - 17 л. - Текст : непосредственный.Мосанов О. Явления переноса в полупроводниках (InSb,Bi-Sb) в магнитном поле в отсутствие поперечных ЭДС и приборы на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / О. Мосанов, 1993. - 41 с. - Текст : непосредственный.Денисов В.М. Исследование свойств и межфазного взаимодействия в системах полупроводник - металл, полупроводник - соль, полупроводник - оксид в твердом и жидком состояниях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук:02.00.04 / В. М. Денисов, 1993. - 47 с. - Текст : непосредственный.Симанович Е.В. Перенос носителей и накопление заряда в МДП структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. В. Симанович, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Яржембицкий В.Б. Неравновесные процессы в поверхностно-барьерных структурах при комбинированных внешних воздействиях и приборы на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / В. Б. Яржембицкий, 1995. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кастро Арата Рене Алехандро.Исследование поляризационных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП) системы As-Se в условиях неравновесного возбуждения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Кастро Арата Рене Алехандро, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽